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商品の詳細:
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| 密度(g/cm3): | 3.515 | 製品名: | CVDダイヤモンド基板 |
|---|---|---|---|
| 摩擦係数: | 0.1 | 熱伝導率(300K、Wm・K): | 1000~2000年 |
| 屈折率(590nm): | 2.4 | 軽い伝送: | 225nm～遠赤外線 |
| ハイライト: | 電子グレード CVD ダイヤモンド基板、単結晶基板、CVD ダイヤモンド基板 0.3 mm,single crystal substrates,CVD Diamond Substrates 0.3mm |
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ホールモビリティ 3800 cm2/V・S 電子グレード単結晶ダイヤモンド 比誘電率 5.5
3*3mm²*0.3mm 電子グレード単結晶ダイヤモンド、N含有量<100ppb、ヒートシンク用XRD<0.015º
概要
対照的に、CVD 成長は、より穏やかな温度で、周囲条件よりも低い圧力で、平衡から遠く離れて発生します。気相化学を含むダイヤモンド CVD の一般的な側面、気相活性化のためのさまざまな技術的アプローチ、およびリアクター設計が要約されています。電子アプリケーションに必要な単結晶ダイヤモンド ウェーハに向けて 2 つの競合するアプローチがあります。
仕様
| プロパティ | 合成ダイヤモンド | |
| 密度(g/cm3) | 3.515 | 固有のプロパティ |
| ヤング率(PGa) | 1050 |
機械的性質 |
| 硬度(PGa) |
70~120単結晶 60~100多結晶 |
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| 破断強度 |
2.5-3G単結晶 200-1100MPa 多結晶 |
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| 破壊靭性(MPa・m1/2) | 1~8 | |
| 摩擦係数 | 0.1 | |
| 熱伝導率(300K、Wm・K) | 1000~2000年 | 熱特性 |
| 熱膨張係数(×10-6/℃) | 1(室温) | |
| 屈折率(590nm) | 2.4 | 光学特性 |
| 光透過率 | 225nm～遠赤外線 | |
| バンドギャップ幅(ev) | 5.47 | 電気特性 |
| 抵抗率(Ω・cm) | ＞1010 | |
| 電子移動度(cm2/V·s) | 4500 | |
| 穴移動度(cm2/V·s) | 3800 | |
| 誘電率 | 5.5 | 誘電特性 |
| 誘電損失 | ＜2×10-4 |
私たちに関しては
私たちは、さまざまな材料をウェーハ、基板、およびカスタマイズされた光学ガラス部品に加工することを専門としています。これらの部品は、エレクトロニクス、光学、オプトエレクトロニクス、および他の多くの分野で広く使用されています。また、国内外の多くの大学、研究機関、企業と緊密に連携し、研究開発プロジェクト向けにカスタマイズされた製品とサービスを提供しています。私たちの良い評判によって、すべてのお客様と協力関係を維持することが私たちのビジョンです。
よくある質問
Q: あなたは商社ですか、それともメーカーですか?
私たちは工場です。
Q：納期はどのくらいですか？
通常、在庫がある場合は3～5日です。
または、商品が在庫にない場合は、数量に応じて7〜10日です。
Q: サンプルを提供していますか?それは無料ですか、それとも余分ですか？
はい、無料でサンプルを提供できますが、運賃はかかりません。
Q: 支払条件は何ですか?
お支払い <=5000USD、100% 前払い。
Paymen >=5000USD、前もって 80% T/T、shippment の前のバランス。
コンタクトパーソン: Xiwen Bai (Ciel)
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