中国 Ga2O3 ウエハー

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  FWHM<350arcsec Ga2O3のウエファーの単結晶の基質の厚さ0.6mmに0.8mm

  厚さ:0.6~0.8mm

  製品名:単結晶の基質

  オリエンテーション:（010）

  接触
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  片面研磨 Ga2O3 基板 単結晶 厚さ 0.6mm 0.8mm

  RA:≤0.5nm

  厚さ:0.6~0.8mm

  製品名:単結晶の基質

  接触
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  10x10mmのGa2O3ウエファー10x15mmの単結晶の基質

  オリエンテーション:（010）(201)

  次元:10*10mm;10*15mm

  製品名:単結晶の基質

  接触
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  半導体の単結晶ガリウム酸化物の基質UIDの添加

  厚さ:0.6~0.8mm

  製品名:単結晶の基質

  オリエンテーション:（010）(201)

  接触
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  10x15mm2 UID ドープ フリースタンディング Ga2O3 ウェーハ シングル 研磨

  厚さ:0.6~0.8mm

  製品名:単結晶の基質

  オリエンテーション:（010）(201)

  接触
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  Ra 0.3nm Ga2O3 単結晶エピタキシャルウェーハ 2インチ 4インチ

  製品名:単結晶の基質

  厚さ:0.6~0.8mm

  オリエンテーション:（201）

  接触
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  SnドーピングGa2O3ウェーハ単結晶基板10x10mm2

  厚さ:0.6~0.8mm

  製品名:単結晶の基質

  オリエンテーション:（201）

  接触
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  Ga2O3 Fe によってドープされるウエファーの単結晶の基質 10x10mm2 の自由な地位

  FWHM:<350arcsec>

  磨かれた表面:磨かれる単一の側面

  厚さ:0.6~0.8mm

  接触
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  単一の側面の磨かれたGa2O3ウエファーの単結晶の基質

  製品名:単結晶の基質

  厚さ:0.6~0.8mm

  磨かれた表面:磨かれる単一の側面

  接触
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  0.6mm 0.8mmのGa2O3単結晶の基質の単一のポーランド語

  製品名:単結晶の基質

  オリエンテーション:（201）

  磨かれた表面:磨かれる単一の側面

  接触
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  JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn ドープ自立型 Ga2O3 単結晶基板 製品グレード シングル研磨

  厚さ:0.6~0.8mm

  製品名:単結晶の基質

  オリエンテーション:（101）

  接触
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  JDCD04-001-002 10x10mm2は（- 201）支えがないGa2O3単結晶の基質プロダクトを等級別にする単一のポーランド語をSn添加した

  厚さ:0.6~0.8mm

  製品名:単結晶の基質

  オリエンテーション:（201）

  接触