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ウェーハダイシングマシン

中国ウェーハダイシングマシン

600mm/sウエファー範囲260mmを切るさいの目に切る機械Ｘ軸への0.1mm/s

X軸切削速度:0.1 ～ 600mm/秒

製品名:DAD3350 オートマチックダイシングソー

最大。ワークサイズ:Φ8インチ（250mm×250mm、Φ300mmユーザー指定仕様）
シリコンウェーハダイシングマシン 260mm オートマチックダイシングソー

製品名:DAD3350 オートマチックダイシングソー

最大。ワークサイズ:Φ8インチ（250mm×250mm、Φ300mmユーザー指定仕様）

適用:1.8kW、2.2kW
自動ウェーハダイシングマシン 8 インチ 250mm × 250mm 300mm

製品名:DAD3350 オートマチックダイシングソー

最大。ワークサイズ:Φ8インチ（250mm×250mm、Φ300mmユーザー指定仕様）

適用:1.8kW、2.2kW
8 インチウェーハダイシングマシン X 軸切断範囲 260mm 1.8 KW 2.2 KW

製品名:DAD3350 オートマチックダイシングソー

最大。ワークサイズ:Φ8インチ（250mm×250mm、Φ300mmユーザー指定仕様）

適用:1.8kW、2.2kW
X軸切断範囲 260mm ウェーハダイシングマシン自動ダイシングソー

製品名:DAD3350 オートマチックダイシングソー

最大。ワークサイズ:Φ8インチ（250mm×250mm、Φ300mmユーザー指定仕様）

適用:1.8kW、2.2kW

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について

GaNのエピタキシアルウエファー: 2inch GaNのエピタキシアルウエファーCの表面FeはSIのタイプ自由な地位を添加した; FeはGaNの基質の抵抗を> 10 ⁶ Ω添加した·Cm RF装置; 2インチ自立型SI-GaN基板

Sicのエピタキシアルウエファー: 面取り SiC エピタキシャルウェーハ 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um; 4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350.0um ± 25.0um; 単結晶SiCのエピタキシアルウエファーのC表面光学ポーランドのSi表面CMP

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