中国 GaNのエピタキシアル ウエファー

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  2inch GaNのエピタキシアル ウエファーCの表面FeはSIのタイプ自由な地位を添加した

  次元:50.8 ± 1つのmm

  製品名:GaNの支えがない基質

  厚さ:350 ±25µm

  接触
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  FeはGaNの基質の抵抗を> 10 ⁶ Ω添加した·Cm RF装置

  次元:50.8 ± 1つのmm

  厚さ:350 ±25µm

  弓:- 10µmの≤の弓≤ 10µm

  接触
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  2インチ自立型SI-GaN基板

  次元:50.8 ± 1つのmm

  厚さ:350 ±25µm

  TTV:≤ 10µm

  接触
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  ガリウム窒化物の半導体ウエハー325um 375um Cの平面

  製品名:GaNの単結晶の基質

  次元:50.8 ± 1つのmm

  厚さ:350 ±25µm

  接触
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  375 um GaN エピタキシャルウェーハ フリースタンディング U-GaN SI-GaN 基板

  製品名:2インチの支えがないU-GaN/SI-GaNの基質

  次元:50.8 ± 1mm

  厚さ:350 ± 25μm

  接触
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  2インチU GaNの基質SI GaNの基質50.8mm

  製品名:2インチの支えがないU-GaN/SI-GaNの基質

  次元:50.8 ± 1mm

  厚さ:350 ± 25μm

  接触
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  単結晶のGaNのエピタキシアル ウエファー2inch Cの表面国連はNのタイプを添加した

  製品名:2インチの支えがないU-GaN/SI-GaNの基質

  次元:50.8 ± 1mm

  厚さ:350 ± 25μm

  接触
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  50.8mmガリウム窒化物の半導体ウエハー2インチの自由な地位

  製品名:2インチの支えがないU-GaN/SI-GaNの基質

  Gaの表面表面の粗さ:< 0="">

  オリエンテーションの平たい箱:（1-100の） ± 0.5˚の16 ± 1mm

  接触
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  自由な地位U/SI GaNのエピタキシアル ウエファー50.8 mm 350 um

  製品名:2インチの支えがないU-GaN/SI-GaNの基質

  次元:50.8 ± 1mm

  厚さ:350 ± 25μm

  接触
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  SP Face 5 X 10mm2 窒化ガリウム基板 350um

  製品名:GaNの支えがない基質

  厚さ:350 ±25µm

  TTV:≤ 10µm

  接触
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  5x10mm2 GaN エピタキシャルウェーハ アンドープ SI タイプ

  製品名:支えがないGaNの単結晶の基質

  厚さ:350 ±25µm

  TTV:≤ 10µm

  接触
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  GaN単結晶窒化ガリウムウエハー SI型

  次元:5 x 10mmの²

  製品名:GaNの支えがない基質

  厚さ:350 ±25µm

  接触