中国 GaAsエピウェーハ

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  2inch GaAs Epi Wafer GaAs アンドープ基板 VGF

  成長方法:VGF

  行為の種類:S-C-N

  製品名:GaAs (100) アンドープ基板

  接触
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  S-C-N 伝導 2 インチ GaAs アンドープ基板 高電子移動度

  製品名:GaAs-Siウェーハ

  行為の種類:S-C-N

  ドーパント:GaAs-Si

  接触
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  2inch GaAsのUndoped基質GaAs Epiのウエファー0.4E18への1E18

  行為の種類:S-C-N

  ドーパント:GaAs-Si

  方位角:0°

  接触
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  VGF GaAsのUndoped基質2inch GaAs Siの添加物

  製品名:GaAs (100) アンドープ基板

  成長方法:VGF

  行為の種類:S-C-N

  接触
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  17mm 2inch GaAs EpiのウエファーのUndoped基質50.8mm

  製品名:GaAs-Siウェーハ

  成長方法:VGF

  行為の種類:S-C-N

  接触
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  51mm 2インチ GaAsウェーハ アンドープ基板 IF長7mm

  成長方法:VGF

  行為の種類:S-C-N

  製品名:GaAs-Siウェーハ

  接触
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  VGF 2 インチ GaAs エピ ウエファー アンドープ基板 サイドポリッシュ エッチング

  製品名:2 インチ GaAs (100) アンドープ基板

  成長方法:VGF

  方位角:0°

  接触
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  光通信ガリウム砒素基板 LED

  製品名:GaAs (100) アンドープ基板

  成長方法:VGF

  行為の種類:S-C-N

  接触
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  半導体化合物 2inch GaAsエピウェーハ GaAs Siウェーハ UKAS

  製品名:GaAs (100) アンドープ基板

  ドーパント:GaAs-Si

  方位角:0°

  接触
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  18mm GaAs Siのウエファー2inch GaAsのUndoped基質VGF S-C-N

  製品名:GaAs-Siウェーハ

  成長方法:VGF

  行為の種類:S-C-N

  接触
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  JDCD10-001-005 2 インチ GaAs ((111) Znドーピング基板

  製品名:GaAs-Siウェーハ

  成長方法:VGF

  行為の種類:S-C-N

  接触
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  JDCD10-001-004 2インチガア (111) シドープされた基板

  製品名:GaAs-Siウェーハ

  方位角:0°

  オリエンテーション:EJ[0-1-1]±0.5°

  接触