中国 炭化ケイ素の水晶

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  第一次平らなLengh 32.5mmの炭化ケイ素の水晶4" Pの等級100.0mm

  ポリタイプ:4h

  直径:100.0mm±0.5mm

  キャリアのタイプ:N-TYPE

  接触
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  4H Politypeの単結晶の炭化ケイ素4" Pの等級Siの表面

  ポリタイプ:4h

  直径:100.0mm±0.5mm

  オリエンテーション:4.0°±0.2°

  接触
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  0.015ohm.cm～0.028ohm.cm シリコンカーバイド水晶Nタイプ

  キャリアのタイプ:N-TYPE

  抵抗:0.015~0.028ohm.cm

  オリエンテーション:4.0°±0.2°

  接触
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  100.0mmの炭化ケイ素の水晶4" Pの等級18.0mm

  ポリタイプ:4h

  直径:100.0mm±0.5mm

  キャリアのタイプ:N-TYPE

  接触
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  100.0mmの炭化ケイ素の水晶4" Pの等級Politype 4H

  ポリタイプ:4h

  直径:100.0mm±0.5mm

  キャリアのタイプ:N-TYPE

  接触
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  4" P グレード シリコン カーバイド クリスタル抵抗率 0.015ohm.cm から 0.028ohm.cm

  ポリタイプ:4h

  キャリアのタイプ:N-TYPE

  抵抗:0.015~0.028ohm.cm

  接触
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  JDZJ01-001-002 SiCのインゴット水晶4" Dの等級

  ポリタイプ:4h

  直径:100.0mm±0.5mm

  キャリアのタイプ:N-TYPE

  接触
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  JDZJ01-001-008 4&6inch SiCシードクリスタル

  ポリタイプ:4h

  直径:105±0.5mm

  厚さ:500±50μm

  接触
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  JDZJ01-001-007炭化ケイ素の種結晶

  直径:105±0.5mm

  キャリアのタイプ:500±50μm

  TTV:≤15μm

  接触
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  JDZJ01-001-005 SiCの種結晶Sは6つをSの等級φ153±0.5mm等級別にする

  ゆがみ（μm）:≤50μm

  直径:153±0.5mm

  厚さ:500±50mm

  接触
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  JDZJ01-001-004 SiC インゴットクリスタル 6" P グレード

  ポリタイプ:4h

  直径:150.0mm±0.5mm

  キャリアのタイプ:N-TYPE

  接触
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  JDZJ01-001-006 SiCの種結晶Sは6つをSの等級φ153±0.5mm等級別にする

  ゆがみ（μm）:≤50μm

  直径:153±0.5mm

  主位置決め刃長:8.0±2.0

  接触