中国 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. 地図

GaNのエピタキシアル ウエファー

• 2inch GaNのエピタキシアル ウエファーCの表面FeはSIのタイプ自由な地位を添加した
• FeはGaNの基質の抵抗を> 10 ⁶ Ω添加した·Cm RF装置
• 2インチ自立型SI-GaN基板
• ガリウム窒化物の半導体ウエハー325um 375um Cの平面

Sicのエピタキシアル ウエファー

• 面取り SiC エピタキシャルウェーハ 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um
• 6 インチ N タイプウェーハ P MOS グレード 4H SiC 基板 350.0 ± 25.0um
• 4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350.0um ± 25.0um
• 半基質150mmを絶縁するPのレベルSIのタイプ6inch 4H SiC

GaAsエピウェーハ

• 2inch GaAs Epi Wafer GaAs アンドープ基板 VGF
• S-C-N 伝導 2 インチ GaAs アンドープ基板 高電子移動度
• 2inch GaAsのUndoped基質GaAs Epiのウエファー0.4E18への1E18
• VGF GaAsのUndoped基質2inch GaAs Siの添加物

CVDダイヤモンド基板

• 電子グレード CVD ダイヤモンド基板 誘電率 5.5
• XRD
• 3つのX 3mm2 CVDのダイヤモンドの基質N内容<脱熱器のための100ppb
• N含有量

急速な熱焼きなましシステム

• RTP-SA-8 焼却システム
• 3つのセットのプロセス ガスが付いている150mmの急速な熱焼きなましシステム

ホール効果センサーテスター

• ホール係数ホール効果素子センサーのテスターの移動性の抵抗の測定
• キャリア集中ホール効果素子センサーのテスターの半導体工業
• 半導体材料ホール効果素子センサーのテスターのキャリア集中の測定

窒化アルミニウムのウエファー

• 1" AlN アルミニウム窒化物のウエファー 400um S/P/R の等級の化学研磨
• 25.4mm 1inch AlNの単結晶400um 2Hの結晶形
• 1inch AlNの単結晶の窒化アルミニウムのウエファー450um
• 磨かれるサファイアのウエファーの片面または両面の C 面 AIN

半導体レーザーの破片

• しきい値電流 0.5A レーザー ダイオード チップ レーザー印刷スロープ 効率 1.0W/A
• サブマウント設計の 915nm 10W COS ダイオード レーザー チップ
• 915nm半導体レーザーの破片の印刷表面の台紙の標準パッケージ
• サブマウント設計のしきい値電流 0.5A のエミッタ サイズ 94um ダイオード レーザー チップ

炭化ケイ素の水晶

• 第一次平らなLengh 32.5mmの炭化ケイ素の水晶4" Pの等級100.0mm
• 4H Politypeの単結晶の炭化ケイ素4" Pの等級Siの表面
• 0.015ohm.cm～0.028ohm.cm シリコンカーバイド水晶Nタイプ
• 100.0mmの炭化ケイ素の水晶4" Pの等級18.0mm

Ga2O3 ウエハー

• FWHM<350arcsec Ga2O3のウエファーの単結晶の基質の厚さ0.6mmに0.8mm
• 片面研磨 Ga2O3 基板 単結晶 厚さ 0.6mm 0.8mm
• 10x10mmのGa2O3ウエファー10x15mmの単結晶の基質
• 半導体の単結晶ガリウム酸化物の基質UIDの添加

シリコンの薄片

• 0.001-100 ohm-cm シリコン ウェーハ P タイプ ボロン ドーパント
• E/終わる例えば/Gの表面分離した装置Si基質P/E P/P
• 主な2"シリコンの薄片の標準的な<10 μm最高Capabilities<5um
• マイクロエレクトロニクス 279um シリコン エピタキシャル ウェーハ 一次基板

サファイアのウエファー

• 50mmのサファイアのウエファーR9ミラーはEPIの準備ができたウエファーの端Rのタイプを磨いた
• Thk 430umのサファイアの基質の水晶オリエンテーションC/M0.2
• A 面方位 サファイアウェーハ 鏡面研磨 EPI 対応
• 高純度Al2O3 50mmサファイア基板ウエハーThk 430μm

模造されたサファイアの基質

• フラットエッジアングル 16mm パターン化サファイア基板前面
• 模造されたサファイア ガラスのウエファー2inchのサファイアの基質
• 50.80mm パターン化サファイア基板 430um A プレーン
• バック レーザー加工 パターン化 PSS サファイア基板 TTV 5um

テフロン ウエファーのホールダー

• 花のバスケットおよびハンドルをきれいにする6inchテフロン ウエハー ホールダー

ウェーハダイシングマシン

• 600mm/sウエファー範囲260mmを切るさいの目に切る機械Ｘ軸への0.1mm/s
• シリコンウェーハダイシングマシン 260mm オートマチックダイシングソー
• 自動ウェーハ ダイシング マシン 8 インチ 250mm × 250mm 300mm
• 8 インチ ウェーハ ダイシング マシン X 軸切断範囲 260mm 1.8 KW 2.2 KW