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単結晶SiCのエピタキシアル ウエファーのC表面光学ポーランドのSi表面CMP

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単結晶SiCのエピタキシアル ウエファーのC表面光学ポーランドのSi表面CMP

単結晶SiCのエピタキシアル ウエファーのC表面光学ポーランドのSi表面CMP
単結晶SiCのエピタキシアル ウエファーのC表面光学ポーランドのSi表面CMP

大画像 :  単結晶SiCのエピタキシアル ウエファーのC表面光学ポーランドのSi表面CMP

商品の詳細:
起源の場所: 蘇州中国
ブランド名: GaNova
証明: UKAS/ISO9001:2015
モデル番号: JDCD03-001-004
お支払配送条件:
パッケージの詳細: クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、25枚入りカセットまたは枚葉容器。
受渡し時間: 3-4 週日
支払条件: T/T

単結晶SiCのエピタキシアル ウエファーのC表面光学ポーランドのSi表面CMP

説明
製品名: Sicのエピタキシアル ウエファー 結晶形: 4h
表面の終わり: C表面:光学ポーランド語のSi表面:CMP 直径: 150.0mm +0mm/-0.2mm
表面のオリエンテーション: Off-Axis:4°toward <11-20>±0.5の° 第一次平らな長さ: 47.5mmの± 1.5mm
ハイライト:

SiCのエピタキシアル ウエファーのC表面

,

炭化ケイ素のエピタキシアル ウエファー

,

CMP SiCのエピタキシアル ウエファー

JDCD03-001-004 SiCのエピタキシアル ウエファーのC表面:光学ポーランド語のSi表面:CMP

概観

それは別(heteroepitaxy)または同じ(homoepitaxy)材料の結晶面の1つの材料の水晶の成長を含む。薄膜材料の格子構造およびオリエンテーションまたは格子対称は沈殿する基質のそれと同一である。基質が単結晶何よりも大事なことは、そして薄膜また単結晶でであって下さい。自己組み立てられた単一層との対照およびmesotaxy。

特性 P-MOSの等級 P-SBDの等級 Dの等級
結晶形 4H
Polytype どれも割り当てなかった Area≤5%
(MPD) a ≤0.2 /cm2 ≤0.5 /cm2 ≤5 /cm2
六角形の版 どれも割り当てなかった Area≤5%
六角形のPolycrystal どれも割り当てなかった
包含a Area≤0.05% Area≤0.05% N/A
抵抗 0.015Ω•cm0.025Ω•cm 0.015Ω•cm0.025Ω•cm 0.014Ω•cm0.028Ω•cm
(EPD) a ≤4000/cm2 ≤8000/cm2 N/A
(テッド) a ≤3000/cm2 ≤6000/cm2 N/A
(BPD) a ≤1000/cm2 ≤2000/cm2 N/A
(TSD) a ≤600/cm2 ≤1000/cm2 N/A
積み重ね欠陥 ≤0.5%区域 ≤1%区域 N/A

表面の金属汚染

(Al、Cr、Fe、NIのCU、Zn、Pb、Na、Kのチタニウム、カリフォルニア、V、Mn) ≤1E11 cm-2

直径 150.0 mm +0mm/-0.2mm
表面のオリエンテーション Off-Axis:4°toward <11-20>±0.5の°
第一次平らな長さ ± 47.5 mmの1.5 mm
二次平らな長さ 二次平たい箱無し
第一次平らなオリエンテーション 平行to±1°<11-20>
二次平らなオリエンテーション N/A
直角Misorientation ±5.0°
表面の終わり C表面:光学ポーランド語のSi表面:CMP
ウエファーの端 斜角が付くこと

表面の粗さ

(10μm×10μm)

Siの表面Ra≤0.20 nm;Cの表面Ra≤0.50 nm
厚さa 350.0μm± 25.0 μm
LTV (10mm×10mm) a ≤2μm ≤3μm
(TTV) a ≤6μm ≤10μm
(弓) a ≤15μm ≤25μm ≤40μm
(ゆがみ) a ≤25μm ≤40μm ≤60μm
破片/刻み目 どれも≥0.5mmの幅および深さを割り当てなかった Qty.2 ≤1.0 mmの幅および深さ

a

(Siの表面、CS8520)

≤5および累積Length≤0.5×Waferの直径

≤5および累積Length≤1.5×Wafer

直径

TUA (2mm*2mm) ≥98% ≥95% N/A
ひび どれも割り当てなかった
汚染 どれも割り当てなかった
特性 P-MOSの等級 P-SBDの等級 Dの等級
端の排除 3mm

注目:3mmの端の排除はa.と印が付いている項目のために使用される

私達について

私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。

FAQ

Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。
私達は工場である。
Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。
通常それは商品が在庫にあれば3-5日である。
またはそれは量に従って商品が在庫になければ7-10日、それあるである。
Q:サンプルを提供するか。それまたは余分は自由にあるか。
はい、私達は自由電荷のためのサンプルを提供できたが、貨物の費用を支払わない。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。
支払の <> 支払>=5000USD、先立って80% T/T、郵送物の前のバランス。

連絡先の詳細
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

コンタクトパーソン: Xiwen Bai (Ciel)

電話番号: +8613372109561

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