中国 シリコンの薄片

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  0.001-100 ohm-cm シリコン ウェーハ P タイプ ボロン ドーパント

  直径:2"

  等級:主

  成長方法:CZ

  接触
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  E/終わる例えば/Gの表面分離した装置Si基質P/E P/P

  成長方法:CZ

  直径:2"

  等級:主

  接触
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  主な2"シリコンの薄片の標準的な<10 μm最高Capabilities<5um

  直径:2"

  等級:主

  成長方法:CZ

  接触
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  マイクロエレクトロニクス 279um シリコン エピタキシャル ウェーハ 一次基板

  等級:主

  成長方法:CZ

  タイプ/添加物:Pのタイプ/ほう素、Nのタイプ/Phos、N Type/As、N Type/Sb

  接触
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  NのタイプPhosのシリコンの薄片3"厚さ279um 380um 525um 625um

  タイプ/添加物:Pのタイプ/ほう素、Nのタイプ/Phos、N Type/As、N Type/Sb

  厚さ(μm):279

  厚さの許容:標準的な± 25μmの最高の機能の± 5μm

  接触
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  4" 5" 6" Nのタイプ/SbとしてSiのウエファーPのタイプ/ほう素Nのタイプ/

  直径:2"

  等級:主

  成長方法:CZ

  接触
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  成長方法CZのシリコンの薄片5"オリエンテーション<1-0-0>、<1-1-1>、<1-1-0>

  直径:2"

  等級:主

  成長方法:CZ

  接触
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  半導体デバイス 2 インチ シリコン基板ウェーハ 8" 12"

  直径:2"

  等級:主

  成長方法:CZ

  接触
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  シリコンの薄片としてNのタイプSb Nのタイプ6インチ8インチ

  成長方法:CZ

  オリエンテーション:<1-0-0><1-1-1>、<1-1-0>

  タイプ/添加物:Pのタイプ/ほう素、Nのタイプ/Phos、N Type/As、N Type/Sb

  接触
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  CZのケイ素の半導体ウエハー380um 525um 625um

  オリエンテーション:<1-0-0><1-1-1>、<1-1-0>

  厚さ(μm):279

  厚さの許容:標準的な± 25μmの最高の機能の± 5μm

  接触
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  12インチのシリコンの薄片Pのタイプほう素NのタイプPhos

  直径:12"

  等級:主

  成長方法:CZ

  接触
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  ケイ素は8インチのウエファーの表面P/E P/P E/例えば/Gを終えた

  直径:8"

  等級:主

  成長方法:CZ

  接触