中国 Sicのエピタキシアル ウエファー

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  面取り SiC エピタキシャルウェーハ 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

  製品名:Sicのエピタキシアル ウエファー

  表面のオリエンテーション:Off-Axis:4°toward <11-20>±0.5の°

  Polytype:どれも割り当てなかった

  接触
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  6 インチ N タイプウェーハ P MOS グレード 4H SiC 基板 350.0 ± 25.0um

  製品名:SiC基板

  結晶形:4h

  直径:150.0mm+0mm/-0.2mm

  接触
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  4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350.0um ± 25.0um

  製品名:Sicのエピタキシアル ウエファー

  結晶形:4h

  ウエファーの端:斜角が付くこと

  接触
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  半基質150mmを絶縁するPのレベルSIのタイプ6inch 4H SiC

  製品名:Sicのエピタキシアル ウエファー

  結晶形:4h

  直径:150.0mm+0.0/-0.2mm

  接触
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  4H SiCのエピタキシアル ウエファーP-MOSは47.5 mmの150.0 mm +0mm/-0.2mmを± 1.5 mm等級別にする

  製品名:Sicのエピタキシアル ウエファー

  直径:150.0mm +0mm/-0.2mm

  表面のオリエンテーション:Off-Axis:4°toward <11-20>±0.5の°

  接触
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  150mm 4H SiCウエハー半絶縁基板 6inch 350μm

  製品名:Sicのエピタキシアル ウエファー

  結晶形:4h

  直径:150.0mm+0.0/-0.2mm

  接触
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  150.0mm +0mm/-0.2mm SiCのエピタキシアル ウエファー二次平たい箱無し3mm

  製品名:Sicのエピタキシアル ウエファー

  直径:150.0mm +0mm/-0.2mm

  表面のオリエンテーション:Off-Axis:4°toward <11-20>±0.5の°

  接触
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  N型 6inch 4H 炭化ケイ素基板 一次平面長 47.5mm

  製品名:Sicのエピタキシアル ウエファー

  結晶形:4h

  直径:150.0mm+0.0/-0.2mm

  接触
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  47.5 mmの± 1.5 mm SiCのエピタキシアル ウエファー150.0 mm +0mm/-0.2mm平行to<11-20>±1°

  製品名:Sicのエピタキシアル ウエファー

  直径:150.0mm +0mm/-0.2mm

  表面のオリエンテーション:Off-Axis:4°toward <11-20>±0.5の°

  接触
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  6インチ 4H SiC基板 Nタイプ P SBDグレード 350μm

  製品名:Sicのエピタキシアル ウエファー

  結晶形:4h

  直径:150.0mm +0mm/-0.2mm

  接触
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  4H SiCのエピタキシアル ウエファー0.015Ω•cm0.025Ω•Cm ≤4000/cmの² 150.0 mm +0mm/-0.2mm

  製品名:Sicのエピタキシアル ウエファー

  直径:150.0mm +0mm/-0.2mm

  表面のオリエンテーション:Off-Axis:4°toward <11-20>±0.5の°

  接触
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  パワーデバイス、マイクロ波デバイス向けPレベル2インチSiC基板

  結晶形:4H-N/S

  製品名:2inch diameterSiliconの炭化物（SiC）の基質の指定

  直径:50.8mm±0.38mm

  接触