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electronic grade cvd diamond substrates オンライン製造

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購入 JDCD05-001-004 3*3mm2*0.5mm 電子グレード単結晶ダイヤモンド、N含有量 オンライン メーカー

JDCD05-001-004 3*3mm2*0.5mm 電子グレード単結晶ダイヤモンド、N含有量
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2022-10-09 09:54:38
購入 JDCD05-001-006 10*10mm2*0.5mmの電子等級の単結晶のダイヤモンド、N Content<100ppbのXRD<0.015ºの熱伝導性 オンライン メーカー

JDCD05-001-006 10*10mm2*0.5mmの電子等級の単結晶のダイヤモンド、N Content<100ppbのXRD<0.015ºの熱伝導性
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2022-09-28 15:02:42
購入 JDCD05-001-003 10*10mm2*0.3mmの電子等級の単結晶のダイヤモンド、N Content&lt;100ppbのXRD&lt;0.015ºの熱伝導性 オンライン メーカー

JDCD05-001-003 10*10mm2*0.3mmの電子等級の単結晶のダイヤモンド、N Content<100ppbのXRD<0.015ºの熱伝導性
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2022-09-28 15:00:05
購入 JDCD05-001-005 5*5mm2*0.5mm 電子グレード単結晶ダイヤモンド、N含有量 オンライン メーカー

JDCD05-001-005 5*5mm2*0.5mm 電子グレード単結晶ダイヤモンド、N含有量
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2022-09-28 15:01:25
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について

GaNのエピタキシアル ウエファー

2inch GaNのエピタキシアル ウエファーCの表面FeはSIのタイプ自由な地位を添加した

FeはGaNの基質の抵抗を> 10 ⁶ Ω添加した·Cm RF装置

2インチ自立型SI-GaN基板

Sicのエピタキシアル ウエファー

面取り SiC エピタキシャルウェーハ 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350.0um ± 25.0um

単結晶SiCのエピタキシアル ウエファーのC表面光学ポーランドのSi表面CMP

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