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6inch SiCのエピタキシアル ウエファー2022-10-09 16:56:20 |
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47.5 mmの± 1.5 mm SiCのエピタキシアル ウエファー150.0 mm +0mm/-0.2mm平行to<11-20>±1°2024-10-29 11:49:58 |
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4H SiCのエピタキシアル ウエファー0.015Ω•cm0.025Ω•Cm ≤4000/cmの² 150.0 mm +0mm/-0.2mm2024-10-29 11:49:58 |
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0.015Ω•cm0.025Ω•cm SiCのエピタキシアル ウエファーのC表面光学ポーランドのSi表面CMP2024-10-29 11:49:58 |
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2インチ パワーデバイス 高電子移動性トランジスタ エピタキシアル・ウェーファー2024-12-06 17:41:10 |
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青いLED GaN シリコン・ウェーファー 青いレーザー GaN エピタキシアル・ウェーファー2024-12-06 17:37:25 |
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6インチ 4H SiC基板 Nタイプ P SBDグレード 350μm2022-10-24 10:23:04 |
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6inch 4H SiC N型基板 47.5mm 二次フラット無し2022-10-24 10:26:17 |
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N型 6inch 4H 炭化ケイ素基板 一次平面長 47.5mm2022-10-24 10:22:34 |
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SiC Nのタイプ基質2022-10-09 16:57:15 |
