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4H SiCのエピタキシアル ウエファー0.015Ω•cm0.025Ω•Cm ≤4000/cmの² 150.0 mm +0mm/-0.2mm2023-02-17 15:19:25 |
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150.0 mm + 0mm / -0.2mm SiC エピタキシャルウェーハ 4H クリスタルフォーム2022-10-24 10:20:57 |
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要求の厳しいパワーエレクトロニクス向けの2インチSiC基板350μm2023-02-17 15:34:54 |
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SiC Nのタイプ基質2022-10-09 16:57:15 |
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350um 4H SiC基板2022-10-09 16:57:57 |
