 |
単結晶SiCのエピタキシアル ウエファーのC表面光学ポーランドのSi表面CMP2022-10-24 10:26:24 |
|
|
6inch SiCのエピタキシアル ウエファー2022-10-09 16:56:20 |
|
|
47.5 mmの± 1.5 mm SiCのエピタキシアル ウエファー150.0 mm +0mm/-0.2mm平行to<11-20>±1°2024-10-29 11:49:58 |
|
|
0.015Ω•cm0.025Ω•cm SiCのエピタキシアル ウエファーのC表面光学ポーランドのSi表面CMP2024-10-29 11:49:58 |
|
|
150.0mm +0mm/-0.2mm SiCのエピタキシアル ウエファー二次平たい箱無し3mm2024-10-29 11:49:58 |
|
|
150.0mm +0mm/-0.2mm SiC エピタキシャルウェーハ 47.5mm ± 1.5mm2022-10-24 10:23:40 |
|
|
4H SiCのエピタキシアル ウエファー0.015Ω•cm0.025Ω•Cm ≤4000/cmの² 150.0 mm +0mm/-0.2mm2024-10-29 11:49:58 |
|
|
150.0 mm + 0mm / -0.2mm SiC エピタキシャルウェーハ 4H クリスタルフォーム2022-10-24 10:20:57 |
|
|
4H SiCのエピタキシアル ウエファー≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm0.025Ω•cm 150.0 mm +0mm/-0.2mm2024-10-29 11:49:58 |
|
|
N型 6inch 4H 炭化ケイ素基板 一次平面長 47.5mm2022-10-24 10:22:34 |
