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ガリウム窒化物の半導体ウエハー325um 375um Cの平面

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ガリウム窒化物の半導体ウエハー325um 375um Cの平面

ガリウム窒化物の半導体ウエハー325um 375um Cの平面
Gallium Nitride Semiconductor Wafer 325um 375um C Plane
ガリウム窒化物の半導体ウエハー325um 375um Cの平面 ガリウム窒化物の半導体ウエハー325um 375um Cの平面

大画像 :  ガリウム窒化物の半導体ウエハー325um 375um Cの平面

商品の詳細:
起源の場所: 蘇州中国
ブランド名: GaNova
証明: UKAS/ISO9001:2015
モデル番号: JDCD01-001-021
お支払配送条件:
パッケージの詳細: クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、6枚入りカセットまたは枚葉容器。
受渡し時間: 3-4 週日
支払条件: T/T
供給の能力: 10000pcs/Month

ガリウム窒化物の半導体ウエハー325um 375um Cの平面

説明
製品名: GaNの単結晶の基質 次元: 50.8 ± 1つのmm
厚さ: 350 ±25µm オリエンテーション: M軸線の方の角度を離れたCの平面(0001)
TTV: ≤ 10µm 弓: ≤ 20のμm
マクロ欠陥密度: 0cm⁻ ² 使用可能な区域: > 90% (端の排除)
ハイライト:

ガリウム窒化物の半導体ウエハー

,

Cの平らなgan epiのウエファー

,

半導体ウエハー325um

2インチの支えがないSIGaN基質


エピタキシアル ウエファーは(またepiのウエファー、epiウエファー、またはepiwaferを呼んだ) photonics、マイクロエレクトロニクス、spintronics、またはphotovoltaicsの使用のためのエピタキシアル成長(エピタクシー)によってなされる半導体材料のウエファーである。

Epiの薄いウエファーはリーディング エッジMOS装置のために一般的である。厚いEpiがか多層のエピタキシアル ウエファーは装置のために電力を制御するのに主に使用されエネルギー消費の効率の改善に貢献している。

2インチの支えがないSIGaN基質
優秀なレベル(S) 生産のレベル(a) 研究のレベル(b) 模造のレベル(c)

ガリウム窒化物の半導体ウエハー325um 375um Cの平面 0

注:

(1)使用可能な区域:端およびマクロ欠陥の排除

(2) 3ポイント:miscutは位置の曲がる(2つ、4、5)は0.35の± 0.15oである

S-1 S-2 A-1 A-2
次元 50.8 ± 1つのmm
厚さ 350 ± 25のμm
オリエンテーションの平たい箱 (1-100の) ± 0.5oの16 ± 1つのmm
二次オリエンテーションの平たい箱 (11-20の) ± 3oの8 ± 1つのmm
抵抗(300K) > 1 x 106 Ω·Semi-insulatingのためのcm (Fe添加される;GaN FS C SIC50)
TTV ≤ 15のμm
≤ 20のμm ≤ 40のμm
Gaの表面表面の粗さ

< 0="">

または < 0="">

Nの表面表面の粗さ

0.5の~1.5 μm

選択:1~3 nm (良い地面); < 0="">

パッケージ 単一のウエファーの容器のクリーンルームで包まれる
使用可能な区域 > 90% >80% >70%
転位密度 <9>x105 cm-2 <3x10>6つのcm-2 <9>5つのcm-2 <3>x106 cm-2 <3x10>6つのcm-2
オリエンテーション:M軸線の方の角度を離れたCの平面(0001)

0.35の± 0.15o

(3ポイント)

0.35の± 0.15o

(3ポイント)

0.35の± 0.15o

(3ポイント)

マクロ欠陥密度(穴) 0のcm-2 < 0="">-2 < 1="" cm="">-2
マクロ欠陥の最高のサイズ < 700=""> < 2000=""> < 4000="">

*中国(GB/T32282-2015)の国民の標準

私達について

私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。

FAQ

Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。
私達は工場である。
Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。
通常それは商品が在庫にあれば3-5日である。
またはそれは量に従って商品が在庫になければ7-10日、それあるである。
Q:サンプルを提供するか。それまたは余分は自由にあるか。
はい、私達は自由電荷のためのサンプルを提供できたが、貨物の費用を支払わない。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。
支払の <> 支払>=5000USD、先立って80% T/T、郵送物の前のバランス。

連絡先の詳細
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

コンタクトパーソン: Xiwen Bai (Ciel)

電話番号: +8613372109561

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