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商品の詳細:
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| 製品名: | 窒化アルミニウムのウエファー | 直径: | 25.4±0.5mm |
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| 厚さ: | 400±50μm | 結晶形: | 2H |
| Polytype: | {0001}±0.5° | TUA: | ≥90% |
| ハイライト: | 1インチ窒化アルミニウムウェーハ、AlN単結晶400um、Sグレード窒化アルミニウムウェーハ,AlN Single Crystal 400um,S Grade Aluminum Nitride Wafer |
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JDCD02-001-001 1inch AlN単結晶 400±50μm S/P/Rグレード
AlN基板は、優れた耐熱性、高い機械的強度、耐摩耗性、および小さな誘電損失を備えた最も一般的なセラミック基板の1つです。AlN基板の表面は非常に滑らかで、気孔率が低いです。窒化アルミニウムは、アルミナ基板に比べて熱伝導率が高く、約7～8倍です。AlN基板は優れた電子パッケージ材料です。
| 1インチ窒化アルミニウム単結晶基板 | |||
| 水晶の仕様 | パラメータ値 | ||
| 直径(mm) | 25.4±0.5 | ||
| 厚さ(μm) | 400±50 | ||
| クリスタルフォーム | 2H | ||
| ポリタイプ | {0001}±0.5° | ||
| 表面研磨 | アルミニウム表面：化学研磨（二重研磨はカスタマイズ可能） | ||
| 粗さ |
Al面：≤0.5nm N面（裏面）：≦1.2μm |
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| 外観 | 円形ベルト位置決めエッジ | ||
| 品質等級 | Sグレード(スーパー) | Pグレード(生産) | Rグレード(研究用) |
| HRXRD 半高幅@{0002}(arcsec) | ≤150 | ≤300 | ≤500 |
| HRXRD 半高幅@{10-12}(arcsec) | ≤100 | ≤200 | ≤400 |
| 吸収係数@265nm(cm-1) | ≤50 | ≤70 | ≤100 |
| エッジ除外(mm) | 1 | 1 | 1 |
| インデント | / | / | / |
| チップス | / | / | ≤3 累積 ≤1.0mm |
| TUA | 90%以上 | ||
| 主な位置決めエッジの向き | {10-10}±5.0° | ||
| 二次位置決め面の向き |
アル面：主位置決め刃方向に時計回りに90°±5°回転 N面：主位置決め刃方向へ反時計回り90°±5°回転 |
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| TTV(μm) | ≤30 | ||
| 反り(μm) | ≤30 | ||
| 弓(μm) | ≤30 | ||
| クラック | いいえ、肉眼、強い光 | ||
| 汚染 | いいえ、裸眼、放射線 | ||
| レーザーコーディング | N面、主位置決め刃に平行 | ||
| パッケージ | モノリシックウエハーボックス | ||
私たちに関しては
私たちは、さまざまな材料をウェーハ、基板、およびカスタマイズされた光学ガラス部品に加工することを専門としています。これらの部品は、エレクトロニクス、光学、オプトエレクトロニクス、および他の多くの分野で広く使用されています。また、国内外の多くの大学、研究機関、企業と緊密に連携し、研究開発プロジェクト向けにカスタマイズされた製品とサービスを提供しています。私たちの良い評判によって、すべてのお客様と協力関係を維持することが私たちのビジョンです。
よくある質問
Q: あなたは商社ですか、それともメーカーですか?
私たちは工場です。
Q：納期はどのくらいですか？
通常、在庫がある場合は3～5日です。
または、商品が在庫にない場合は、数量に応じて7〜10日です。
Q: サンプルを提供していますか?それは無料ですか、それとも余分ですか？
はい、無料でサンプルを提供できますが、運賃はかかりません。
Q: 支払条件は何ですか?
お支払い <=5000USD、100% 前払い。
Paymen >=5000USD、前もって 80% T/T、shippment の前のバランス。
コンタクトパーソン: Xiwen Bai (Ciel)
電話番号: +8613372109561
