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0.8umへの1.2umは端のあたりの導かれたサファイアの基質を模造した

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中国 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. 認証
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0.8umへの1.2umは端のあたりの導かれたサファイアの基質を模造した

0.8umへの1.2umは端のあたりの導かれたサファイアの基質を模造した
0.8umへの1.2umは端のあたりの導かれたサファイアの基質を模造した

大画像 :  0.8umへの1.2umは端のあたりの導かれたサファイアの基質を模造した

商品の詳細:
起源の場所: 蘇州中国
ブランド名: GaNova
証明: UKAS/ISO9001:2015
モデル番号: JDCD09-001-001
お支払配送条件:
最小注文数量: 1
パッケージの詳細: クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、25枚入りカセットまたは枚葉容器。
支払条件: T/T

0.8umへの1.2umは端のあたりの導かれたサファイアの基質を模造した

説明
次元: 50.80±0.10mm 厚さ: 430±10μm
フラットエッジ角度: A面±0.2° TTV: ≦5μm
弓: ≤-8~0μm 表面粗さ: ≤0.25nm
ハイライト:

0.8umはサファイアの基質を導いた

,

模造されたサファイアのウエファー

,

1.2umはサファイアの基質を導いた

表面の粗さの端のあたりの0.8~1.2μm模造されたサファイアの基質

2inchはサファイアの基質、LEDの破片、基質材料を模造した

模造されたサファイアの基質(PSS)はマイクロ模造されたサファイアの基質である。それは全般照明のための最も有望な代わりとなる光源の強力なGaNベースの発光ダイオード(ずっとLEDs)で広く利用されている。模造サファイアの基質の技術の進歩によって、高明るさGaNベースのLEDsの効力は150 lm/W.の新高値に運転された。

2inchはサファイアの基質を模造した
項目 Al2 O3

0.8umへの1.2umは端のあたりの導かれたサファイアの基質を模造した 0

次元 50.80±0.10mm
厚さ 430±10μm
平らな端の幅

16±1.0mm

平らな端の角度 A-plane±0.2o
TTV ≤5μm
≤-8~0μm
前部表面の粗さ ≤0.25nm
背部表面の粗さ 0.8~1.2μm
円形
レーザーの作成

私達について

私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。

FAQ

Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。
私達は工場である。
Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。
通常それは商品が在庫にあれば3-5日である。
またはそれは量に従って商品が在庫になければ7-10日、それあるである。
Q:サンプルを提供するか。それまたは余分は自由にあるか。
はい、私達は自由電荷のためのサンプルを提供できたが、貨物の費用を支払わない。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。
支払の <> 支払>=5000USD、先立って80% T/T、郵送物の前のバランス。

連絡先の詳細
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

コンタクトパーソン: Xiwen Bai (Ciel)

電話番号: +8613372109561

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