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背部表面の粗さ0.8umへの1.2umはサファイアの基質の幅16mmを模造した

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背部表面の粗さ0.8umへの1.2umはサファイアの基質の幅16mmを模造した

背部表面の粗さ0.8umへの1.2umはサファイアの基質の幅16mmを模造した
背部表面の粗さ0.8umへの1.2umはサファイアの基質の幅16mmを模造した

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商品の詳細:
起源の場所: 蘇州中国
ブランド名: GaNova
証明: UKAS/ISO9001:2015
モデル番号: JDCD09-001-001
お支払配送条件:
最小注文数量: 1
パッケージの詳細: クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、25枚入りカセットまたは枚葉容器。
支払条件: T/T

背部表面の粗さ0.8umへの1.2umはサファイアの基質の幅16mmを模造した

説明
次元: 50.80±0.10mm 厚さ: 430±10μm
フラットエッジ幅: 16±1.0mm フラットエッジ角度: A面±0.2°
TTV: ≦5μm 弓: ≤-8~0μm
表面粗さ: ≤0.25nm 裏面粗さ: 0.8~1.2μm
ハイライト:

1.2umはサファイアの基質を模造した

,

0.8umサファイアの単結晶

,

模造されたサファイアの基質

表面の粗さの0.8~1.2μm模造されたサファイアの基質の平らな端の幅16±1.0mm

2inchはサファイアの基質、LEDの破片、基質材料を模造した

模造されたサファイアの基質(PSS)はガリウム窒化物(GaN)の発光ダイオード(LEDS)を製造するのに使用されるマイクロ模造されたウエファーである。PSSはGaNの層の転位密度を減らす。これはより有効なllightの抽出で明るさを高めている間起因する。

模造されたサファイアを使用して基質はLEDsの光熱出力を顕著な増加できる。利点は下記のものを含んでいる:

- 減らされたエピタキシアル欠陥密度の結果活動的な量の井戸の層の高められた光の放射。

- PSSは効果を分散させる光子を可能にすることによって総内面反射(TIR)現象によるライト損失を減らす。

2inchはサファイアの基質を模造した
項目 Al2 O3

背部表面の粗さ0.8umへの1.2umはサファイアの基質の幅16mmを模造した 0

次元 50.80±0.10mm
厚さ 430±10μm
平らな端の幅

16±1.0mm

平らな端の角度 A-plane±0.2o
TTV ≤5μm
≤-8~0μm
前部表面の粗さ ≤0.25nm
背部表面の粗さ 0.8~1.2μm
円形
レーザーの作成

私達について

私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。

FAQ

Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。
私達は工場である。
Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。
通常それは商品が在庫にあれば3-5日である。
またはそれは量に従って商品が在庫になければ7-10日、それあるである。
Q:サンプルを提供するか。それまたは余分は自由にあるか。
はい、私達は自由電荷のためのサンプルを提供できたが、貨物の費用を支払わない。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。
支払の <> 支払>=5000USD、先立って80% T/T、郵送物の前のバランス。

連絡先の詳細
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

コンタクトパーソン: Xiwen Bai (Ciel)

電話番号: +8613372109561

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