中国 GaAsエピウェーハ

• 

  JDCD10-001-005 2inch GaAs(111) Znドープ基板

  製品名:GaAs-Siウェーハ

  成長方法:VGF

  行為の種類:S-C-N

  接触
• 

  JDCD10-001-003 2 インチ GaAs(100) Zn ドープ基板

  製品名:GaAs-Siウェーハ

  オリエンテーション:（Toward<111>Aを離れた100） 15°±0.5°

  オリエンテーション:EJ[0-1-1]±0.5°

  接触
• 

  JDCD10-001-004 2inch GaAsの（111の） Si添加された基質

  製品名:GaAs-Siウェーハ

  方位角:0°

  オリエンテーション:EJ[0-1-1]±0.5°

  接触