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ga2o3 substrate single crystal オンライン製造

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購入 0.6mm 0.8mmのGa2O3単結晶の基質の単一のポーランド語 オンライン メーカー

0.6mm 0.8mmのGa2O3単結晶の基質の単一のポーランド語
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2024-10-29 11:49:58
購入 10x15mm2 UID ドープ フリースタンディング Ga2O3 ウェーハ シングル 研磨 オンライン メーカー

10x15mm2 UID ドープ フリースタンディング Ga2O3 ウェーハ シングル 研磨
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2022-09-27 16:57:32
購入 10x10mmのGa2O3ウエファー10x15mmの単結晶の基質 オンライン メーカー

10x10mmのGa2O3ウエファー10x15mmの単結晶の基質
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2022-09-27 16:57:06
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について

GaNのエピタキシアル ウエファー

2inch GaNのエピタキシアル ウエファーCの表面FeはSIのタイプ自由な地位を添加した

FeはGaNの基質の抵抗を> 10 ⁶ Ω添加した·Cm RF装置

2インチ自立型SI-GaN基板

Sicのエピタキシアル ウエファー

面取り SiC エピタキシャルウェーハ 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350.0um ± 25.0um

単結晶SiCのエピタキシアル ウエファーのC表面光学ポーランドのSi表面CMP

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