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2022-09-27 16:46:55

2022-09-27 16:46:38

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について

GaNのエピタキシアルウエファー: 2inch GaNのエピタキシアルウエファーCの表面FeはSIのタイプ自由な地位を添加した; FeはGaNの基質の抵抗を> 10 ⁶ Ω添加した·Cm RF装置; 2インチ自立型SI-GaN基板

Sicのエピタキシアルウエファー: 面取り SiC エピタキシャルウェーハ 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um; 4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350.0um ± 25.0um; 単結晶SiCのエピタキシアルウエファーのC表面光学ポーランドのSi表面CMP

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