|
商品の詳細:
|
| 次元: | 5 x 10mmの² | 厚さ: | 350 ±25µm |
|---|---|---|---|
| オリエンテーション: | （C軸線- 1 ±0.2°の方の角度を離れたM軸線0 ±0.5° （11-22）の平面の方の角度を離れた11-22の）平面 | TTV: | ≤ 10のµm |
| 弓: | - 10µmの≤の弓≤ 10µm | マクロ欠陥密度: | 0cm⁻ ² |
| 使用可能な区域: | > 90% （端の排除） | 製品名: | （11-22） GaNの支えがない基質に直面しなさい |
5×10mm2SP 面 (11-12) アンドープ n 型自立 GaN 単結晶基板 抵抗率 < 0.05 Ω・cm パワーデバイス/レーザーウェーハ
概要
GaNトランジスタはシリコン・トランジスタよりも高速にターンオンできるため、この遷移による損失を減らすことができます。GaN がスイッチング損失を低減するもう 1 つの方法は、ボディ ダイオードがないことです。
GaNは、従来のシリコン技術と比較して、その性能を実現するために必要なエネルギーと物理的スペースを削減しながら、幅広いアプリケーションにわたって大幅に改善された性能を提供できるため、重要性が増しています。
| (11-22) へ交流e ふリー-stand私ng GaN サブstらtes | ||||
| アイテム |
GaN-FS-SP-US
|
GaN-FS-SP-NS
|
GaN-FS-SP-SI-S |
備考： 表面と裏面を区別するために、円弧角度 (R < 2 mm) が使用されます。 |
| 寸法 | 5×10mm2 | |||
| 厚さ | 350±25μm | |||
| オリエンテーション |
(11-22) M軸方向への平面オフ角度 0 ±0.5° (11-22) C 軸方向への平面オフ角度 - 1 ±0.2° |
|||
| 伝導タイプ | N型 | N型 | 半絶縁 | |
| 抵抗率 (300K) | < 0.1Ω・cm | < 0.05Ω・cm | > 106Ω・cm | |
| TTV | ≦10μm | |||
| 弓 | - 10 µm ≤ BOW ≤ 10 µm | |||
| 表面粗さ |
< 0.2 nm (研磨済み); または < 0.3 nm (エピタキシーのための研磨および表面処理) |
|||
| 裏面粗さ |
0.5～1.5μm オプション: 1~3 nm (ファイングラウンド);< 0.2 nm (研磨済み) |
|||
| 転位密度 | 1×10から5～3×106cm-2 | |||
| マクロ欠陥密度 | 0cm-2 | |||
| 使用可能面積 | > 90% (エッジ除外) | |||
| パッケージ | クラス 100 のクリーン ルーム環境で、窒素雰囲気下で 6 個の PCS コンテナーにパッケージ化されています。 | |||
付録: ミスカット角度の図
もしδ1= 0 ±0.5° の場合、(11-22) M 軸方向の平面オフ角度は 0 ±0.5° です。
もしδ2= - 1 ±0.2° の場合、(11-22) C 軸方向の平面オフ角度は - 1 ±0.2° です。
私たちに関しては
私たちは、さまざまな材料をウェーハ、基板、およびカスタマイズされた光学ガラス部品に加工することを専門としています。これらの部品は、エレクトロニクス、光学、オプトエレクトロニクス、および他の多くの分野で広く使用されています。また、国内外の多くの大学、研究機関、企業と緊密に連携し、研究開発プロジェクト向けにカスタマイズされた製品とサービスを提供しています。私たちの良い評判によって、すべてのお客様と協力関係を維持することが私たちのビジョンです。
よくある質問
Q: あなたは商社ですか、それともメーカーですか?
私たちは工場です。
Q：納期はどのくらいですか？
通常、在庫がある場合は3～5日です。
または、商品が在庫にない場合は、数量に応じて7〜10日です。
Q: サンプルを提供していますか?それは無料ですか、それとも余分ですか？
はい、無料でサンプルを提供できますが、運賃はかかりません。
Q: 支払条件は何ですか?
お支払い <=5000USD、100% 前払い。
Paymen >=5000USD、前もって 80% T/T、shippment の前のバランス。
コンタクトパーソン: Xiwen Bai (Ciel)
電話番号: +8613372109561
