サファイアのウエファーSSP Resistivity<0.05 Ω cm LED、レーザーのPINのエピタキシアル ウエファーの4インチNタイプのSi添加されたGaN

サファイアのウエファーSSP resistivity<0.05 Ω cm LED、レーザーのPINのエピタキシアル ウエファーの4インチNタイプのSi添加されたGaN

軽くSi添加されたGaNのため（[Si]   =  の2.1は の×の の1016の cm ^−3）、室温（RTの）電子移動度北極の光学音量子の分散によって支配的に限られた  1008の のcm2の高かった  V ^−1のs ⁻¹。さらに、私達はPSDを使用して準備された重くSi添加されたGaNがこのフィルムの抵抗はインジウムの錫の酸化物のような典型的で透明な伝導性の酸化物のそれらほとんど小さかったことを示した2つの の×の の1020の の電子集中で  110の のcm2のとして高くとしてRTの移動性を  V ^−1のs ⁻¹ cm ⁻³表わしたことが分った。

低温で、電子移動度は136  で  1920年の のcm2のに  V ^−1のs ⁻¹ K増加し、温度の依存は慣習的な分散モデルによってよく説明された。これらの結果はPSDを使用して準備されるSi添加されたGaNがGaNベースの力装置の製作のためにだけでなく、約束しているが、また窒化物のためのエピタキシアル透明な電極材料として使用のために光学装置を基づかせていたことを示す。

私達について

私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。

FAQ

Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。
私達は工場である。
Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。
通常それは商品が在庫にあれば3-5日である。
またはそれは量に従って商品が在庫になければ7-10日、それあるである。
Q:サンプルを提供するか。それまたは余分は自由にあるか。
はい、私達は自由電荷のためのサンプルを提供できたが、貨物の費用を支払わない。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。
支払の <> 支払>=5000USD、先立って80% T/T、郵送物の前のバランス。