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商品の詳細:
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| 製品名: | 4インチによってGaN/サファイアのMg添加される基質 | 次元: | 100 ± 0.2mm |
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| 伝導のタイプ: | Pタイプ | 抵抗（300K）: | < 10=""> |
| キャリア集中: | > 1つx 10の¹の⁷のcm⁻の³ （p+GaNの≥ 5 x 10の¹の⁹のcm⁻の³の集中を添加する） | 移動性: | > 5cmの² /V·s |
| ハイライト: | LEDレーザーGAN エピタキシアル・ウェーファー |
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サファイアのウエファーSSP resistivity~10Ω cm LED、レーザーのPINのエピタキシアル ウエファーの4インチPタイプのMg添加されたGaN
なぜGaNのウエファーを使用しなさいか。
サファイアのガリウム窒化物は無線エネルギー拡大のための理想的な材料である。それは高温でより高い絶縁破壊電圧およびよりよい性能を含むケイ素上のいくつかの利点を、提供する。
GaNは90年代以来の明るい発光ダイオードで一般的な二進III/Vの直接bandgapの半導体である。混合物はウルツ鉱の結晶構造がある非常に堅い材料である。3.4 eVのその広いバンド ギャップはそれを適用のための特別な特性できる
光電子工学
強力な装置
高周波装置
| 4インチによってGaN/サファイアのMg添加される基質 | ||
| 項目 | GaN-T-C-P-C100 |
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| 次元 | 100 ± 0.2mm | |
| 厚さ/厚さSTD | 4.5 ± 0.5のμm/ < 3=""> | |
| オリエンテーション | 軸線0.2の± 0.1の°の方の角度を離れたCの平面（0001） | |
| GaNのオリエンテーションの平たい箱 | （1-100） 0の± 0.2の°、30 ± 1つのmm | |
| 伝導のタイプ | Pタイプ | |
| 抵抗（300K） | < 10=""> | |
| キャリア集中 | > 1 x 1017 cm3 （p +GaNの≥ 5 x 1019 cm3の集中を添加する） | |
| 移動性 | > 5 cm2/V·s | |
| *XRD FWHMs | （0002） < 300arcsec=""> | |
| 構造 |
| 0.5のμm p +GaN/~ 1.5のμmのp-GaN/~ 2.5 μmのuGaN/~ 25 nmのuGaN buffer/430 ± 25のμmのサファイア |
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| サファイアのオリエンテーション | M軸線0.2の± 0.1の°の方の角度を離れたCの平面（0001） | |
| サファイアのオリエンテーションの平たい箱 | （11-20） 0の± 0.2の°、30± 1つのmm | |
| ポーランド サファイア | （SSP）磨かれる/磨かれる二重側面単一の側面（DSP） | |
| 使用可能な区域 | > 90% （端およびマクロ欠陥の排除） | |
| パッケージ |
容器のクリーンルームで包まれる: 単一のウエファー箱（< 3="" PCS=""> |
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私達について
私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。
FAQ
Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。
私達は工場である。
Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。
通常それは商品が在庫にあれば3-5日である。
またはそれは量に従って商品が在庫になければ7-10日、それあるである。
Q:サンプルを提供するか。それまたは余分は自由にあるか。
はい、私達は自由電荷のためのサンプルを提供できたが、貨物の費用を支払わない。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。
支払の <>
支払>=5000USD、先立って80% T/T、郵送物の前のバランス。
コンタクトパーソン: Xiwen Bai (Ciel)
電話番号: +8613372109561
