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商品の詳細:
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| 表面のオリエンテーション: | 平面（11-20） | 厚さ: | 430 ± 10のμm |
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| R平面: | R9 | 直径: | 50.8±0.10mm |
| 材料: | 高い純度Al2O3 （>99.995%） | ||
| ハイライト: | A平面のサファイア基板のウエーファー,2インチのサファイアの基質のウエファー,サファイアの基質のウエファー |
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JDCD08-001-002 2inchの平面のサファイアの基質のウエファー
サファイアの高い純度および強さは半導体の製造業のための優秀な、industry-accepted材料である。その耐久性および傷の抵抗はエッチングに抗するために真空の環境および高い血しょう抵抗のためのサファイアの理想を作る。
サファイアは室温でステンレス鋼のそれと対等な高い熱伝導性と水晶酸化物である。
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変数 |
指定 | ||
| 単位 | ターゲット | 許容 | |
| 材料 | 高い純度Al2O3 （>99.995%） | ||
| 直径 | mm | 50.8 | ±0.10 |
| 厚さ | μm | 430 | ±10 |
| 表面のオリエンテーション | 平面（11-20） | ||
| - M軸線の方の角度を離れて… | 程度 | 0.00 | ±0.10 |
| -軸線の方の角度を離れて… | 程度 | 0.00 | ±0.10 |
| 平らなオリエンテーション | C平面（0001） | ||
| -平らなオフセット角 | 程度 | 0.0 | ±0.2 |
| 平らな長さ | mm | 16.0 | ±1 |
| R平面 | R9 | ||
| 前部表面の粗さ（RA） | nm | <0.3 | |
| 背部表面の粗さ | μm | 0.9~1.2μm | |
| 前部表面質 | ミラーは、EPI準備ができた磨いた | ||
| ウエファーの端 | Rタイプ | ||
| 小さな溝の広さ | μm | 80-160 | |
| 平らな端と円形の端間の含まれた角度のラジアン | mm | R=9 | |
| TTV | μm | ≤5 | |
| LTV （5x5mm） | μm | ≤1.5 | |
| 弓 | μm | 0~-5 | |
| ゆがみ | μm | ≤10 | |
| レーザーの印 | 必要な顧客ように | ||
私達について
私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。
FAQ
Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。
私達は工場である。
Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。
通常それは商品が在庫にあれば3-5日である。
またはそれは量に従って商品が在庫になければ7-10日、それあるである。
Q:サンプルを提供するか。それまたは余分は自由にあるか。
はい、私達は自由電荷のためのサンプルを提供できたが、貨物の費用を支払わない。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。
支払の <>
支払>=5000USD、先立って80% T/T、郵送物の前のバランス。
コンタクトパーソン: Xiwen Bai (Ciel)
電話番号: +8613372109561
