 |
高純度 Al2O3＞99.995% サファイアウェーハ 鏡面研磨 EPI対応2023-02-17 17:58:08 |
|
|
平面サファイアウェーハ鏡面研磨 EPI 対応2023-02-17 10:36:16 |
|
|
鏡面研磨サファイアウェーハ EPI 対応前面2023-02-17 10:45:27 |
|
|
EPIの準備ができたサファイアの基質のウエファーの端Rのタイプ ミラーは磨いた2022-09-27 16:31:18 |
|
|
50mmのサファイアのウエファーR9ミラーはEPIの準備ができたウエファーの端Rのタイプを磨いた2023-02-17 10:17:17 |
|
|
A 面方位 サファイアウェーハ 鏡面研磨 EPI 対応2023-02-17 10:18:27 |
|
|
R Type 50mm Sapphire Wafer Thickness 420μm OF length (mm) 16個のLEDチップ2023-02-17 11:23:22 |
|
|
結晶方位 C/M0.2 サファイアウェーハ 厚さ 440μm2022-09-26 16:02:07 |
|
|
長さ（mm）の平らなサファイアの基質のウエファーThk 440um 16のLEDの破片2022-09-27 16:24:09 |
|
|
水晶オリエンテーションC/M0.2 50mmのサファイアの基質のウエファーThk 420um2023-02-17 11:22:13 |
