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50mmのサファイアのウエファーR9ミラーはEPIの準備ができたウエファーの端Rのタイプを磨いた

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50mmのサファイアのウエファーR9ミラーはEPIの準備ができたウエファーの端Rのタイプを磨いた

50mmのサファイアのウエファーR9ミラーはEPIの準備ができたウエファーの端Rのタイプを磨いた
50mmのサファイアのウエファーR9ミラーはEPIの準備ができたウエファーの端Rのタイプを磨いた

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商品の詳細:
モデル番号: JDCD08-001-001
お支払配送条件:
パッケージの詳細: クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、25枚入りカセットまたは枚葉容器。
支払条件: T/T

50mmのサファイアのウエファーR9ミラーはEPIの準備ができたウエファーの端Rのタイプを磨いた

説明
直径: 50.8 ±0.10 表面のオリエンテーション: 平面(11-20)
レーザーの印: 必要な顧客ように ウエファーの端: Rタイプ
材料: 高い純度のAlの₂ Oの₃ (>99.995%) 厚さ: 430 ±15μm
ハイライト:

50mmのサファイアのウエファー

,

ミラー磨かれたEPIの準備ができたウエファー

,

サファイアのウエファーR9

高い純度のAl2O3>99.995%R9ミラーはRタイプEPI準備ができたウエファーの端を磨いた

JDCD08-001-001直径50mmのサファイアの基質のウエファー、Thk 430μmの長さ(mm)の水晶オリエンテーションC/M0.2、16のLEDの破片、基質材料

ケイ素(Si)およびゲルマニウム(GE)のベースの装置の高性能はチップセットが性能で非常に速いようにする可能な直通のサファイアの基質に作ることができる。SiおよびGEの存在はチップセットの高い電子移動度そして低い対の欠陥密度を保障する。SiGe装置の電子移動度はSi装置の場合にはより高い。

変数

指定
単位 ターゲット 許容
材料 高い純度のAl2 O3 (>99.995%)
直径 mm 50.8 ±0.10
厚さ μm 430 ±15
表面のオリエンテーション C平面(0001)
- M軸線の方の角度を離れて… 程度 0.20 ±0.10
-軸線の方の角度を離れて… 程度 0.00 ±0.10
平らなオリエンテーション 平面(11-20)
-平らなオフセット角 程度 0.0 ±0.2
平らな長さ mm 16.0 ±1
R平面 R9
前部表面の粗さ(RA) nm <0.3
背部表面の粗さ μm 0.8~1.2μm
前部表面質 ミラーは、EPI準備ができた磨いた
ウエファーの端 Rタイプ
小さな溝の広さ μm 80-160
平らな端と円形の端間の含まれた角度のラジアン mm R=9
TTV μm ≤5
LTV (5x5mm) μm ≤1.5
μm 0~-5
ゆがみ μm ≤10
レーザーの印 必要な顧客ように

私達について

私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。

FAQ

Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。
私達は工場である。
Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。
通常それは商品が在庫にあれば3-5日である。
またはそれは量に従って商品が在庫になければ7-10日、それあるである。
Q:サンプルを提供するか。それまたは余分は自由にあるか。
はい、私達は自由電荷のためのサンプルを提供できたが、貨物の費用を支払わない。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。
支払の <> 支払>=5000USD、先立って80% T/T、郵送物の前のバランス。

連絡先の詳細
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

コンタクトパーソン: Xiwen Bai (Ciel)

電話番号: +8613372109561

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