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JDCD08-001-003 2inch M-Plane サファイア基板ウェーハ

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JDCD08-001-003 2inch M-Plane サファイア基板ウェーハ

JDCD08-001-003 2inch M-Plane サファイア基板ウェーハ
JDCD08-001-003 2inch M-Plane サファイア基板ウェーハ

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商品の詳細:
モデル番号: JDCD08-001-003
お支払配送条件:
パッケージの詳細: クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、25枚入りカセットまたは枚葉容器。
支払条件: T/T

JDCD08-001-003 2inch M-Plane サファイア基板ウェーハ

説明
表面のオリエンテーション: M平面(1010) 厚さ: 430 ± 10のμm
平らなオリエンテーション: 平面(11-20) 直径: 50.8±0.10mm
材料: 高い純度Al2O3 (>99.995%) R平面: R9

JDCD08-001-003 2インチM面サファイア基板ウエハー

 

サファイアは、物理的、化学的、光学的特性を独自に組み合わせた素材であり、高温、熱衝撃、水と砂の浸食、および引っかき傷に耐性があります。これは、3µm から 5µm までの多くの IR アプリケーションにとって優れた窓材です。
実際の生産では、サファイアウェーハは、水晶棒を切断し、研削および研磨することによって作成されます。一般に、半導体ウェーハは、ワイヤカットまたはマルチワイヤ切断機によってウェーハに切断される。
 

 

2インチM面高純度Al2O3基板

パラメーター

仕様
ユニット 目標 許容範囲
材料 高純度Al2O3(>99.995%)
直径 んん 50.8 ±0.10
厚さ μm 430 ±15
表面の向き Mプレーン(1010)
-A軸方向へのオフアングル 程度 0.00 ±0.10
-C軸方向へのオフアングル 程度 0.00 ±0.10
フラット方向 Aプレーン(11-20)
-フラットオフセット角度 程度 0.0 ±0.2
フラットレングス んん 16.0 ±1
R面 R9
表面粗さ(Ra) nm <0.3
裏面粗さ(Ra) μm 0.8~1.2μm
表面品質 鏡面研磨、EPI対応
ウェーハエッジ Rタイプ
面取り幅 μm 80~160
フラット エッジとラウンド エッジの間の角度 んん R=9
TTV μm ≤5
LTV(5x5mm) μm ≤1.5
μm 0~-5
ワープ μm ≤10
レーザーマーク   顧客が要求するように

 

 

私たちに関しては

私たちは、さまざまな材料をウェーハ、基板、およびカスタマイズされた光学ガラス部品に加工することを専門としています。これらの部品は、エレクトロニクス、光学、オプトエレクトロニクス、および他の多くの分野で広く使用されています。また、国内外の多くの大学、研究機関、企業と緊密に連携し、研究開発プロジェクト向けにカスタマイズされた製品とサービスを提供しています。私たちの良い評判によって、すべてのお客様と協力関係を維持することが私たちのビジョンです。

 

 

よくある質問

Q: あなたは商社ですか、それともメーカーですか?
私たちは工場です。
Q:納期はどのくらいですか?
通常、在庫がある場合は3~5日です。
または、商品が在庫にない場合は、数量に応じて7〜10日です。
Q: サンプルを提供していますか?それは無料ですか、それとも余分ですか?
はい、無料でサンプルを提供できますが、運賃はかかりません。
Q: 支払条件は何ですか?
お支払い <=5000USD、100% 前払い。
Paymen >=5000USD、前もって 80% T/T、shippment の前のバランス。

 

連絡先の詳細
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

コンタクトパーソン: Xiwen Bai (Ciel)

電話番号: +8613372109561

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