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JDCD08-001-005 4 インチ R 面サファイア基板ウェーハ

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JDCD08-001-005 4 インチ R 面サファイア基板ウェーハ

JDCD08-001-005 4 インチ R 面サファイア基板ウェーハ
JDCD08-001-005 4 インチ R 面サファイア基板ウェーハ

大画像 :  JDCD08-001-005 4 インチ R 面サファイア基板ウェーハ

商品の詳細:
モデル番号: JDCD08-001-005
お支払配送条件:
パッケージの詳細: クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、25枚入りカセットまたは枚葉容器。
支払条件: T/T

JDCD08-001-005 4 インチ R 面サファイア基板ウェーハ

説明
材料: 高い純度Al2O3 直径: 100.0±0.2mm
厚さ: 460±25μm 表面のオリエンテーション: R平面(11-20) ±0.3°
R平面: Rの45±2°/C CCW 一次平面長: 32.5±1.0
ハイライト:

4インチサファイア基板のウエファー

JDCD08-001-005 4 インチ R 面サファイア基板ウェーハ

 

サファイアの高純度と強度は、半導体製造において業界で認められた優れた材料です。その耐久性と耐スクラッチ性により、サファイアは真空環境に最適であり、エッチングに耐える高い耐プラズマ性を備えています。


実際の生産では、サファイアウェーハは、水晶棒を切断し、研削および研磨することによって作成されます。一般に、半導体ウェーハは、ワイヤカットまたはマルチワイヤ切断機によってウェーハに切断される。

 

4インチR面高純度Al2O3基板
アイテム 仕様
材料 高純度 Al2O3
直径 100.0±0.2mm
厚さ 460±25μm
オリエンテーション R面(11-20)±0.3°
プライマリ フラット方向 45±2°/C R で反時計回り
一次平面長 32.5±1.0
TTV ≤15μm
≤15μm
ワープ ≤20μm
表面粗さ(Ra) Ra≤0.3nm
裏面粗さ(Ra 0.8~1.2μm
レーザーマーク 裏側
パッケージ

25pcs/カセット、真空密封、

窒素充填クラス100クリーンルーム

 

 

 

私たちに関しては

私たちは、さまざまな材料をウェーハ、基板、およびカスタマイズされた光学ガラス部品に加工することを専門としています。これらの部品は、エレクトロニクス、光学、オプトエレクトロニクス、および他の多くの分野で広く使用されています。また、国内外の多くの大学、研究機関、企業と緊密に連携し、研究開発プロジェクト向けにカスタマイズされた製品とサービスを提供しています。私たちの良い評判によって、すべてのお客様と協力関係を維持することが私たちのビジョンです。

 

 

よくある質問

Q: あなたは商社ですか、それともメーカーですか?
私たちは工場です。
Q:納期はどのくらいですか?
通常、在庫がある場合は3~5日です。
または、商品が在庫にない場合は、数量に応じて7〜10日です。
Q: サンプルを提供していますか?それは無料ですか、それとも余分ですか?
はい、無料でサンプルを提供できますが、運賃はかかりません。
Q: 支払条件は何ですか?
お支払い <=5000USD、100% 前払い。
Paymen >=5000USD、前もって 80% T/T、shippment の前のバランス。

 

連絡先の詳細
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

コンタクトパーソン: Xiwen Bai (Ciel)

電話番号: +8613372109561

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