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JDCD08-001-006 6inchのC平面のサファイアの基質のウエファー

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JDCD08-001-006 6inchのC平面のサファイアの基質のウエファー

JDCD08-001-006 6inchのC平面のサファイアの基質のウエファー
JDCD08-001-006 6inch C-Plane Sapphire Substrate Wafer
JDCD08-001-006 6inchのC平面のサファイアの基質のウエファー JDCD08-001-006 6inchのC平面のサファイアの基質のウエファー

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商品の詳細:
モデル番号: JDCD08-001-006
お支払配送条件:
パッケージの詳細: クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、25枚入りカセットまたは枚葉容器。
支払条件: T/T

JDCD08-001-006 6inchのC平面のサファイアの基質のウエファー

説明
材料: 高い純度Al2O3 (>99.995%) 表面のオリエンテーション: C平面(0001)
厚さ: 625 ±15μm 平らなオリエンテーション: 平面(11-20)
直径: 150.00±0.1mm 前部表面質: ミラーは、EPI準備ができた磨いた
ハイライト:

6インチサファイア基板のウエファー

JDCD08-001-006 6inchのC平面のサファイアの基質のウエファー

サファイアは耐久性のダイヤモンドにだけ二番目にある
ダイヤモンドはミネラル硬度のMohsスケールの10から10として地球およびランクの耐久の自然発生する要素である。サファイアはまたMohsスケールの10から9として非常に耐久そして臭い。

オンライン源からのそして従来の小売店のほぼすべてのサファイアそしてサファイアの宝石類は「自然」ように記述されている。

6inch C平面の高い純度Al2O3の基質

変数

指定
単位 ターゲット 許容
材料 高い純度Al2O3 (>99.995%)
直径 mm 150.00 ±0.1
厚さ μm

1000

±15
表面のオリエンテーション C平面(0001)
- M軸線の方の角度を離れて… 程度 0.20 ±0.1
-軸線の方の角度を離れて… 程度 0.00 ±0.10
平らなオリエンテーション 平面(11-20)
-平らなオフセット角 程度 0.0 ±0.2
平らな長さ mm 47.5 ±1
前部表面の粗さ(RA) nm ≤0.2
背部表面の粗さ μm 0.8~1.2μm
前部表面質 ミラーは、EPI準備ができた磨いた
ウエファーの端 TタイプかRタイプ
R平面 R9
TTV μm ≤10
LTV (5x5mm) μm ≤2 (75%<1.8μm)
μm -0.5~-20
ゆがみ μm ≤25
レーザーの印 必要な顧客ように

私達について

私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。

FAQ

Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。
私達は工場である。
Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。
通常それは商品が在庫にあれば3-5日である。
またはそれは量に従って商品が在庫になければ7-10日、それあるである。
Q:サンプルを提供するか。それまたは余分は自由にあるか。
はい、私達は自由電荷のためのサンプルを提供できたが、貨物の費用を支払わない。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。
支払の <> 支払>=5000USD、先立って80% T/T、郵送物の前のバランス。

連絡先の詳細
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

コンタクトパーソン: Xiwen Bai (Ciel)

電話番号: +8613372109561

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