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商品の詳細:
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| 製品名: | SiC基板 | 結晶形: | 4h |
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| 直径: | 150.0mm+0mm/-0.2mm | 表面のオリエンテーション: | Off-Axis:4°toward <11-20>±0.5の° |
| 第一次平らな長さ: | 47.5mmの± 1.5mm | 二次平らな長さ: | 二次平たい箱無し |
| ハイライト: | 6インチN型ウェーハ、4H SiC基板、N型ウェーハP MOSグレード,4H SiC Substrate,N Type Wafer P MOS Grade |
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6インチ4H-SiC基板 N型P-MOSグレード 350.0±25.0μm MPD≦0.2/cm2電力およびマイクロ波デバイスの抵抗率 0.015Ω•cm ～ 0.025Ω•cm
概要
SiC は、ダイオード、パワー トランジスタ、高出力マイクロ波デバイスなど、非常に高電圧で高出力のデバイスの製造に使用されます。
エピタキシャル成長は、バルク成長におけるドーピングと厚さの制御が難しいため、設計されたドーピング密度と厚さを持つ炭化ケイ素 (SiC) ベースのデバイス構造の活性層を生成するために使用されます。
炭化ケイ素 (SiC) の独自の電子的および熱的特性により、シリコンまたはガリウムヒ素デバイスの能力をはるかに超えて動作する高度な高出力および高周波半導体デバイスに最適です。
| 財産 | P-MOSグレード | P-SBDグレード | Dグレード |
| クリスタルフォーム | 4H | ||
| ポリタイプ | なし | Area≤5% | |
| (MPD)a | ≤0.2/cm2 | ≤0.5/cm2 | ≤5/cm2 |
| 六角プレート | なし | Area≤5% | |
| 六方晶多結晶 | なし | ||
| インクルージョンa | Area≤0.05% | Area≤0.05% | なし |
| 抵抗率 | 0.015Ω・cm～0.025Ω・cm | 0.015Ω・cm～0.025Ω・cm | 0.014Ω・cm～0.028Ω・cm |
| (EPD)a | ≤4000/cm2 | ≤8000/cm2 | なし |
| (TED)a | ≤3000/cm2 | ≤6000/cm2 | なし |
| (BPD)a | ≤1000/cm2 | ≤2000/cm2 | なし |
| (TSD)a | ≤600/cm2 | ≤1000/cm2 | なし |
| 積層欠陥 | ≤0.5% エリア | ≤1% エリア | なし |
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表面金属汚染 |
(Al、Cr、Fe、Ni、Cu、Zn、Pb、Na、K、Ti、Ca、V、Mn) ≤1E11 cm-2 |
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| 直径 | 150.0mm +0mm/-0.2mm | ||
| 表面の向き | 軸外:<11-20>に向かって4°±0.5° | ||
| 一次平面長 | 47.5mm±1.5mm | ||
| 二次平面長 | 二次フラットなし | ||
| プライマリ フラット方向 | <11-20>±1°に平行 | ||
| セカンダリ フラット方向 | なし | ||
| 直交ミスオリエンテーション | ±5.0° | ||
| 表面仕上げ | C面：光学研磨、Si面：CMP | ||
| ウェーハエッジ | 面取り | ||
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表面粗さ (10μm×10μm) |
Si 面 Ra≤0.20 nm ； C 面 Ra≤0.50 nm | ||
| 厚さa | 350.0μm±25.0μm | ||
| LTV(10mm×10mm)a | ≦2μm | ≦3μm | |
| (TTV)a | ≦6μm | ≦10μm | |
| （弓）a | ≤15μm | ≤25μm | ≤40μm |
| （ワープ）a | ≤25μm | ≤40μm | ≤60μm |
| チップ/インデント | なし 許可 ≥0.5mm 幅と深さ | 数量 2 ≤1.0 mm 幅と奥行き | |
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傷a (Siフェイス、CS8520) |
≤5かつ累積長さ≤0.5×ウェーハ直径 |
≤5かつ累積長さ≤1.5×ウェーハ 直径 |
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| トゥア(2mm×2mm) | ≥98% | ≥95% | なし |
| クラック | なし | ||
| 汚染 | なし | ||
| 財産 | P-MOSグレード | P-SBDグレード | Dグレード |
| エッジ除外 | 3mm | ||
備考： の付いた項目は、3mm のエッジ除外が使用されます。a.
私たちに関しては
私たちは、さまざまな材料をウェーハ、基板、およびカスタマイズされた光学ガラス部品に加工することを専門としています。これらの部品は、エレクトロニクス、光学、オプトエレクトロニクス、および他の多くの分野で広く使用されています。また、国内外の多くの大学、研究機関、企業と緊密に連携し、研究開発プロジェクト向けにカスタマイズされた製品とサービスを提供しています。私たちの良い評判によって、すべてのお客様と協力関係を維持することが私たちのビジョンです。
よくある質問
Q: あなたは商社ですか、それともメーカーですか?
私たちは工場です。
Q：納期はどのくらいですか？
通常、在庫がある場合は3～5日です。
または、商品が在庫にない場合は、数量に応じて7〜10日です。
Q: サンプルを提供していますか?それは無料ですか、それとも余分ですか？
はい、無料でサンプルを提供できますが、運賃はかかりません。
Q: 支払条件は何ですか?
お支払い <=5000USD、100% 前払い。
Paymen >=5000USD、前もって 80% T/T、shippment の前のバランス。
コンタクトパーソン: Xiwen Bai (Ciel)
電話番号: +8613372109561
