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商品の詳細:
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| 結晶形: | 4h | 製品名: | Sicのエピタキシアル ウエファー |
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| 直径: | 150.0mm +0mm/-0.2mm | 表面のオリエンテーション: | Off-Axis:4°toward <11-20>±0.5の° |
| 第一次平らな長さ: | 47.5mmの± 1.5mm | 二次平らな長さ: | 二次平たい箱無し |
| 直角Misorientation: | ±5.0° | 厚さa: | 350.0μm± 25.0μm |
| ハイライト: | P-MOSの等級SiC Epiのウエファー,150.0mm SiCの基質,SiC EpiのウエファーPのレベル |
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P-MOSの等級2インチSiCの基質のP-Level P-SBDはDの等級150.0 mm +0mm/-0.2mmを等級別にする
JDCD03-001-001力装置およびマイクロウェーブ装置<0001>のための2インチSiCの基質のP-level 4H-N/SI260μm±25μm
概観
システム レベル、非常に改善されたエネルギー効率の非常に密集した解決の結果減らされた費用でこの。SiCの技術を利用する現在のおよび写し出された商用アプリケーションの急速に成長するリストは太陽および風車エネルギー生成のための転換の電源、インバーター、産業モーター ドライブ、HEVおよびEV車およびスマート格子力の切換え含んでいる。
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特性 |
P-MOSの等級 | P-SBDの等級 | Dの等級 |
| 結晶形 | 4H | ||
| Polytype | どれも割り当てなかった | Area≤5% | |
| （MPD） a | ≤0.2 /cm2 | ≤0.5 /cm2 | ≤5 /cm2 |
| 六角形の版 | どれも割り当てなかった | Area≤5% | |
| 六角形のPolycrystal | どれも割り当てなかった | ||
| 包含a | Area≤0.05% | Area≤0.05% | N/A |
| 抵抗 | 0.015Ω•cm0.025Ω•cm | 0.015Ω•cm0.025Ω•cm | 0.014Ω•cm0.028Ω•cm |
| （EPD） a | ≤4000/cm2 | ≤8000/cm2 | N/A |
| （テッド） a | ≤3000/cm2 | ≤6000/cm2 | N/A |
| （BPD） a | ≤1000/cm2 | ≤2000/cm2 | N/A |
| （TSD） a | ≤600/cm2 | ≤1000/cm2 | N/A |
| 積み重ね欠陥 | ≤0.5%区域 | ≤1%区域 | N/A |
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表面の金属汚染 |
（Al、Cr、Fe、NIのCU、Zn、Pb、Na、Kのチタニウム、カリフォルニア、V、Mn） ≤1E11 cm-2 |
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| 直径 | 150.0 mm +0mm/-0.2mm | ||
| 表面のオリエンテーション | Off-Axis:4°toward <11-20>±0.5の° | ||
| 第一次平らな長さ | ± 47.5 mmの1.5 mm | ||
| 二次平らな長さ | 二次平たい箱無し | ||
| 第一次平らなオリエンテーション | 平行to±1°<11-20> | ||
| 二次平らなオリエンテーション | N/A | ||
| 直角Misorientation | ±5.0° | ||
| 表面の終わり | C表面:光学ポーランド語のSi表面:CMP | ||
| ウエファーの端 | 斜角が付くこと | ||
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表面の粗さ （10μm×10μm） |
Siの表面Ra≤0.20 nm;Cの表面Ra≤0.50 nm | ||
| 厚さa | 350.0μm± 25.0 μm | ||
| LTV （10mm×10mm） a | ≤2μm | ≤3μm | |
| （TTV） a | ≤6μm | ≤10μm | |
| （弓） a | ≤15μm | ≤25μm | ≤40μm |
| （ゆがみ） a | ≤25μm | ≤40μm | ≤60μm |
| 破片/刻み目 | どれも≥0.5mmの幅および深さを割り当てなかった | Qty.2 ≤1.0 mmの幅および深さ | |
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傷a （Siの表面、CS8520） |
≤5および累積Length≤0.5×Waferの直径 |
≤5および累積Length≤1.5×Wafer 直径 |
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| TUA （2mm*2mm） | ≥98% | ≥95% | N/A |
| ひび | どれも割り当てなかった | ||
| 汚染 | どれも割り当てなかった | ||
| 特性 | P-MOSの等級 | P-SBDの等級 | Dの等級 |
| 端の排除 | 3mm | ||
注目:3mmの端の排除はa.と印が付いている項目のために使用される。
私達について
私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。
FAQ
Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。
私達は工場である。
Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。
通常それは商品が在庫にあれば3-5日である。
またはそれは量に従って商品が在庫になければ7-10日、それあるである。
Q:サンプルを提供するか。それまたは余分は自由にあるか。
はい、私達は自由電荷のためのサンプルを提供できたが、貨物の費用を支払わない。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。
支払の <>
支払>=5000USD、先立って80% T/T、郵送物の前のバランス。
コンタクトパーソン: Xiwen Bai (Ciel)
電話番号: +8613372109561
