表面GaNのエピタキシアル ウエファーの自由な立つGaNの基質

5*10.5mm2 Aの表面支えがないGaNの基質の厚さ350の±25 µm

5*10.5mm2表面Un-doped SIタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗> 106 Ω·cm RF装置ウエファー

概観
ガリウム窒化物（GaN）の基質は良質のsingle-crystal基質である。それは元のHVPE方法および最初に長年にわたり開発されたウエファーの加工技術となされる。特徴は高い結晶、よい均等性および優秀な表面質である。

出力密度はケイ素と比較されるガリウム窒化物装置でGaNに大いにより高い転換の頻度を支える容量があるので物非常に改善される。それにまた高温を支える高められた機能がある。

付録:miscutの角度の図表

M軸線の方の角度を離れたδなら₁ = 0 ±0.5°、平面（11-20）は0 ±0.5°である。

δなら₂ = - C軸線の方の角度を離れた1 ±0.2°、平面（11-20）はある- 1 ±0.2°。

私達について

私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。

FAQ

Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。
私達は工場である。
Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。
通常それは商品が在庫にあれば3-5日である。
またはそれは量に従って商品が在庫になければ7-10日、それあるである。
Q:サンプルを提供するか。それまたは余分は自由にあるか。
はい、私達は自由電荷のためのサンプルを提供できたが、貨物の費用を支払わない。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。
支払の <> 支払>=5000USD、先立って80% T/T、郵送物の前のバランス。