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高純度 Al2O3>99.995% サファイアウェーハ 鏡面研磨 EPI対応

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高純度 Al2O3>99.995% サファイアウェーハ 鏡面研磨 EPI対応

高純度 Al2O3>99.995% サファイアウェーハ 鏡面研磨 EPI対応
High Purity Al2O3>99.995% Sapphire Wafer Mirror Polished EPI Ready
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大画像 :  高純度 Al2O3>99.995% サファイアウェーハ 鏡面研磨 EPI対応

商品の詳細:
モデル番号: JDCD08-001-001
お支払配送条件:
パッケージの詳細: クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、25枚入りカセットまたは枚葉容器。
支払条件: T/T

高純度 Al2O3>99.995% サファイアウェーハ 鏡面研磨 EPI対応

説明
表面のオリエンテーション: 平面(11-20) 材料: 高い純度のAlの₂ Oの₃ (>99.995%)
厚さ: 430 ±15μm R平面: R9
直径: 50.8 ±0.10 ウエファーの端: Rタイプ
ハイライト:

サファイアウェーハ EPI 対応、LED サファイア基板 R9、サファイアウェーハ A プレーン

,

led sapphire substrate R9

,

sapphire wafer A Plane

高純度アルミ23>99.995% サファイア基板 ウェーハ 鏡面研磨 EPI対応

JDCD08-001-001 直径 50mm サファイア基板ウエハー、Thk 430μm、結晶方位 C/M0.2、OF長(mm) 16 LEDチップ、基板材質


サファイア基板 サファイア基板は、3µm から 5µm までの多くの IR アプリケーションに優れたウィンドウ材料を提供します。これは、高温、熱衝撃、水および砂の浸食、小さな誘電損失、優れた電気絶縁性、重要な機械的および化学的特性に対する耐性を提供するためです。スクラッチ。C-Plane R-Plane サファイア基板をご用意しています。青色 LED およびレーザー ダイオード用の GaN などの III-V および II-VI 化合物の開発に使用される C 面サファイア基板。

 

パラメーター

仕様
ユニット 目標 許容範囲
材料 高純度アルミ23(>99.995%)
直径 んん 50.8 ±0.10
厚さ μm 430 ±15
表面の向き Cプレーン(0001)
-M軸方向へのオフアングル 程度 0.20 ±0.10
-A軸方向へのオフアングル 程度 .00 ±0.10
フラット方向 Aプレーン(11-20)
-フラットオフセット角度 程度 0.0 ±0.2
フラットレングス んん 16.0 ±1
R面 R9
表面粗さ(Ra) nm <0.3
裏面粗さ μm 0.8~1.2μm
表面品質 鏡面研磨、EPI対応
ウェーハエッジ Rタイプ
面取り振幅 μm 80-160
フラット エッジとラウンド エッジ間の夾角ラジアン んん R=9
TTV μm ≤5
LTV(5x5mm) μm ≤1.5
μm 0~-5
ワープ μm ≤10
レーザーマーク   顧客が要求するように

 

 

私たちに関しては

私たちは、さまざまな材料をウェーハ、基板、およびカスタマイズされた光学ガラス部品に加工することを専門としています。これらの部品は、エレクトロニクス、光学、オプトエレクトロニクス、および他の多くの分野で広く使用されています。また、国内外の多くの大学、研究機関、企業と緊密に連携し、研究開発プロジェクト向けにカスタマイズされた製品とサービスを提供しています。私たちの良い評判によって、すべてのお客様と協力関係を維持することが私たちのビジョンです。

 

 

よくある質問

Q: あなたは商社ですか、それともメーカーですか?
私たちは工場です。
Q:納期はどのくらいですか?
通常、在庫がある場合は3~5日です。
または、商品が在庫にない場合は、数量に応じて7〜10日です。
Q: サンプルを提供していますか?それは無料ですか、それとも余分ですか?
はい、無料でサンプルを提供できますが、運賃はかかりません。
Q: 支払条件は何ですか?
お支払い <=5000USD、100% 前払い。
Paymen >=5000USD、前もって 80% T/T、shippment の前のバランス。

 

連絡先の詳細
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

コンタクトパーソン: Xiwen Bai (Ciel)

電話番号: +8613372109561

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