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EPIの準備ができたサファイアの基質のウエファーの端Rのタイプ ミラーは磨いた

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EPIの準備ができたサファイアの基質のウエファーの端Rのタイプ ミラーは磨いた

EPIの準備ができたサファイアの基質のウエファーの端Rのタイプ ミラーは磨いた
EPIの準備ができたサファイアの基質のウエファーの端Rのタイプ ミラーは磨いた

大画像 :  EPIの準備ができたサファイアの基質のウエファーの端Rのタイプ ミラーは磨いた

商品の詳細:
モデル番号: JDCD08-001-001
お支払配送条件:
パッケージの詳細: クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、25枚入りカセットまたは枚葉容器。
支払条件: T/T

EPIの準備ができたサファイアの基質のウエファーの端Rのタイプ ミラーは磨いた

説明
表面のオリエンテーション: 平面(11-20) 材料: 高い純度Al2O3 (>99.995%)
厚さ: 430 ±10μm R平面: R9
直径: 50.8 ±0.10 ウエファーの端: Rタイプ
ハイライト:

EPIの準備ができたサファイアの基質

,

二重側面の磨かれたウエファー430um

,

サファイアの基質ミラーは磨いた

Thk 430μm 50mmのサファイアの基質のウエファーのウエファーの端のRタイプ ミラーは、EPI準備ができた磨いた

JDCD08-001-001直径50mmのサファイアの基質のウエファー、Thk 430μmの長さ(mm)の水晶オリエンテーションC/M0.2、16のLEDの破片、基質材料

サファイアはいろいろな半導体が異なった装置で使用されているのでこのごろ最も適している。smartphones、デジタル カメラ、洗濯機、LEDの球根および冷却装置のようなデジタル通信 プロダクトは半導体を利用している。

また非常に集積回路に欠けている少数の電子デバイスがある。時間が過ぎるので、より多くの開発はサファイアの基質の分野で起こる。

変数

指定
単位 ターゲット 許容
材料 高い純度のAl2 O3 (>99.995%)
直径 mm 50.8 ±0.10
厚さ μm 430 ±15
表面のオリエンテーション C平面(0001)
- M軸線の方の角度を離れて… 程度 0.20 ±0.10
-軸線の方の角度を離れて… 程度 0.00 ±0.10
平らなオリエンテーション 平面(11-20)
-平らなオフセット角 程度 0.0 ±0.2
平らな長さ mm 16.0 ±1
R平面 R9
前部表面の粗さ(RA) nm <0.3
背部表面の粗さ μm 0.8~1.2μm
前部表面質 ミラーは、EPI準備ができた磨いた
ウエファーの端 Rタイプ
小さな溝の広さ μm 80-160
平らな端と円形の端間の含まれた角度のラジアン mm R=9
TTV μm ≤5
LTV (5x5mm) μm ≤1.5
μm 0~-5
ゆがみ μm ≤10
レーザーの印 必要な顧客ように

私達について

私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。

FAQ

Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。
私達は工場である。
Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。
通常それは商品が在庫にあれば3-5日である。
またはそれは量に従って商品が在庫になければ7-10日、それあるである。
Q:サンプルを提供するか。それまたは余分は自由にあるか。
はい、私達は自由電荷のためのサンプルを提供できたが、貨物の費用を支払わない。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。
支払の <> 支払>=5000USD、先立って80% T/T、郵送物の前のバランス。

連絡先の詳細
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

コンタクトパーソン: Xiwen Bai (Ciel)

電話番号: +8613372109561

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