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商品の詳細:
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| 製品名: | 4inch GaNサファイアの青/緑LEDのウエファー | タイプ: | 平らなサファイア |
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| 厚さ: | 650 ± 25μm | オリエンテーション: | M軸線0.2の± 0.1°の方の角度を離れたCの平面（0001） |
| ポリス: | （SSP）磨かれる/磨かれる二重側面単一の側面（DSP） | サイズ: | 100 ± 0.2mm |
| ハイライト: | 625ミリガンのエピワッフル,675umガンエピウエフ,4インチガンエピタキシアルウエファー |
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基板厚さ 650 ± 25 μm 4 インチ ブルー LED GaN エピタキシアル・ウェーファー ザファイア SSP フラット・ザファイア
4インチ ブルーLEDガリウムナイトリッド サファイアSSPのGaN上位軸性ウエフラー
例えば,ガリウムナイトリド (GaN) は,非線形光学周波数倍振を使用することなく紫色 (405nm) レーザー二極電極を可能にする基板である.離子放射線への敏感性は低い (他のIIIグループナイトリッドと同様に)衛星の太陽電池配列に適した材料となる. 放射線環境における安定性を証明した装置であるため,軍事および宇宙のアプリケーションも恩恵を受ける可能性があります.
| 4インチガナオンサファイア 青/緑色 LEDウエーファー | ||||
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基板 |
タイプ | 平らなサファイア |
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| ポーランド語 | 片側から磨いた (SSP) /二面から磨いた (DSP) | |||
| サイズ | 100 ± 0.2 mm | |||
| オリエンテーション | C平面 (0001) は,M軸に向かって角を外して0.2 ± 0.1° | |||
| 厚さ | 650 ± 25 μm | |||
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エピレイヤー |
構造 | 0.2μm pGaN/0.5μm MQWs/2.5μm nGaN/2.0μm uGaN | ||
| 厚さ | 5.5 ± 0.5μm | |||
| 荒さ (Ra) | <0.5 nm | |||
| 変位密度 | < 5 × 108cm-2 | |||
| 波長 | 青いLED | 緑色のLED | ||
| 465 ± 10 nm | 525 ± 10 nm | |||
| 波長 FWHM | < 25 nm | < 40 nm | ||
| チップ性能 | 切断電圧@1μA | 2.3-2.5V | 2.2-2.4V | |
| 使用可能な面積 | > 90% (エッジとマクロの欠陥を除く) | |||
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パッケージ |
クリーンルームで単一のワッフル容器で梱包されています |
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わたしたち に つい て
私たちは,様々な材料をウェーファー,基板,カスタマイズされた光学ガラスパーツに加工することに特化した. 電子,光学,光電子,および他の多くの分野で広く使用される部品.国内外の多くの大学と緊密に協力しています研究機関や企業は,研究開発プロジェクトのためにカスタマイズされた製品とサービスを提供します.私たちの良き評判によってすべての顧客との協力の良好な関係を維持する私たちのビジョンです.
よくある質問
Q: 取引会社ですか? それとも製造会社ですか?
私たちは工場です.
Q: 配達時間はどれくらいですか?
通常は,商品が在庫なら3~5日です.
商品が在庫がない場合は 7-10 日です 量に応じてです
Q: サンプルを用意していますか?無料ですか?それとも追加ですか?
はい,私たちは無料の料金でサンプルを提供することができますが,貨物料を払いません.
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支払いは <=5000USD,100%事前.
>=5000USD,80%T/T先払い,出荷前の残高.
コンタクトパーソン: Xiwen Bai (Ciel)
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