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商品の詳細:
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| サイズ: | 2インチ | 耐性 (300K): | < 350 Ω/□ |
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| 電子濃度: | >1800cm2/V·S | 基質の構造: | 2nmGaN_cap/18-25nmAlGaN_barrier/150nmGaN_Channel/3000nmHRバッファー/500-800nmAl(Ga) N/Si(111) 基質 |
| ハイライト: | シリコンHEMTエピ・ウェーバーのGAN,2インチエピウエファー,電源装置 エピ・ウェーファー |
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シリコンHEMT Epiウエファー上のGaNの紹介
シリコン基のガリウムナトリドHEMT表頭円盤は,ガリウムナトリド (GaN) 材料に基づく高電子移動トランジスタ (HEMT) 表頭円盤である.その構造は主にAlGaNバリア層を含みますこの構造により,ガリウムナイトリドHEMTは高い電子移動性と飽和電子速度を有し,高功率および高周波アプリケーションに適している.
構造的特徴
AlGaN/GaNヘテロ結合:ガリウムナトリドHEMTは,高電子移動性二次元電子ガス (2DEG) チャンネルをヘテロ結合を通じて形成するAlGaN/GaNヘテロ結合に基づいています.
消耗型と増強型:ガリウムナトリドHEMT表頭パネルは,消耗型 (Dモード) と増強型 (Eモード) に分かれます.枯渇型は,天然状態のGaN電源装置です.改良されたタイプには特別なプロセスが必要です
エピタキシアル成長プロセス: エピタキシアル成長には,AlN核化層,ストレスリラクゼーションバッファ層,GaNチャネル層,AlGaNバリア層,およびGaNキャップ層が含まれます.
製造プロセス
エピタキシアル成長:高品質のエピタキシアルウエフを形成するために,シリコン基板にガリウムナイトリド薄膜の1層またはそれ以上の層を成長させる.
消化層とキャップ層:SiN消化層とu-GaNキャップ層は,表面質を向上させ,消化層を保護するために,ガリウムナイトリド上軸のウエファーに通常使用されます.
適用領域
高周波用途:ガリウムナイトリド材料の高い電子移動性と飽和電子速度により,ガリウムナイトリドHEMTは,5G通信などの高周波アプリケーションに適していますレーダーや衛星通信
高電力のアプリケーション:ガリウムナイトリッドHEMTは高電圧および高電力のアプリケーションで良好な性能を持ち,電気自動車,太陽光インバーター,産業用電源などの分野に適しています.
製品仕様
| ガン・オン・シリコン HEMT エピ・ウェーファー | ||||||
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ポイント Si ((111) 基質 |
アル=ガ=N | HRバッファ | GaN_チャネル | AlGaN_バリア | GaN_cap | |
| サイズ | 2インチ/4インチ/6インチ | |||||
| 厚さ | 500~800nm | 3000nm | 150nm | 18~25nm | 2nm | |
| 構成 | アル% | / | / | / | 20〜23 | / |
| % で | / | / | / | / | / | |
| ドーピング | [シ] | / | / | / | / | / |
| [Mg] | / | / | / | / | / | |
| 耐性 (300K) | < 350 Ω/□ | |||||
| 電子濃度 | > 9.0E12cm-2 | |||||
| モビリティ | >1800cm2/V·S | |||||
| 基板構造 | 2nmGaN_cap/18-25nmAlGaN_barrier/150nmGaN_Channel/3000nmHRバッファー/500-800nmAl(Ga) N/Si(111) 基質 | |||||
| パッケージ | 100級クリーンルーム環境で25PCS容器で窒素環境で梱包 | |||||
わたしたち に つい て
私たちは,様々な材料をウェーファー,基板,カスタマイズされた光学ガラスパーツに加工することに特化した. 電子,光学,光電子,および他の多くの分野で広く使用される部品.国内外の多くの大学と緊密に協力しています研究機関や企業は,研究開発プロジェクトのためにカスタマイズされた製品とサービスを提供します.私たちの良き評判によってすべての顧客との協力の良好な関係を維持する私たちのビジョンです.
よくある質問
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私たちは工場です.
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