中国 シリコンの薄片

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  JDCD06-001-002 3インチシリコンウェーハMEMSデバイス、集積回路、ディスクリートデバイス専用基板

  直径:3"

  等級:主

  成長方法:CZ

  接触
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  MEMSの処理のためのJDCD07-001-003 6インチSOIのエピタキシアル ウエファー

  オリエンテーション:<100>、<111>

  タイプ/添加物:Pのタイプ/ほう素、Nのタイプ/Phos、N Type/As、N Type/Sb

  厚さ(μm):300-725

  接触