中国 シリコンの薄片

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  ディスクリート デバイス 2 インチ シリコン ウェーハの厚さ 675um 725um 775um

  直径:2"

  等級:主

  成長方法:CZ

  接触
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  775um 725um 675um 8インチのウエファーの半導体デバイス

  直径:2"

  等級:主

  成長方法:CZ

  接触
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  2"半導体のシリコンの薄片の厚さ279μm

  直径:2"

  オリエンテーション:<1-0-0><1-1-1>、<1-1-0>

  タイプ/添加物:Pのタイプ/ほう素、Nのタイプ/Phos、N Type/As、N Type/Sb

  接触
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  MEMS デバイス シリコン基板 集積回路 専用

  直径:2"

  等級:主

  成長方法:CZ

  接触
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  JDCD06-001-007 12インチ シリコン・ウェーファー MEMS デバイス 統合回路 専用基板 ディスクレートデバイス

  直径:12"

  等級:主

  成長方法:CZ

  接触
• 

  JDCD06-001-006 8インチ シリコン・ウェーファー MEMS デバイス 統合回路 専用基板 ディスクレートデバイス

  直径:8"

  等級:主

  成長方法:CZ

  接触
• 

  JDCD06-001-005 6インチ シリコン・ウェーファー MEMS デバイス 集積回路 専用基板 ディスクレートデバイス

  直径:6"

  等級:主

  成長方法:CZ

  接触
• 

  JDCD06-001-004 5インチ シリコン・ウェーファー MEMSデバイス 集積回路 専用基板 ディスクレートデバイス

  直径:5"

  等級:主

  成長方法:CZ

  接触
• 

  JDCD07-001-004 7 インチ SOI エピタキシアル・ウェーファー MEMS 処理用

  直径:7"

  オリエンテーション:<100>、<111>

  タイプ/添加物:Pのタイプ/ほう素、Nのタイプ/Phos、N Type/As、N Type/Sb

  接触
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  JDCD07-001-002 5 インチ SOI エピタキシアル・ウェーファー MEMS 処理用

  オリエンテーション:<100>、<111>

  タイプ/添加物:Pのタイプ/ほう素、Nのタイプ/Phos、N Type/As、N Type/Sb

  均等性:<5>

  接触
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  JDCD07-001-001 MEMS プロセス用 4 インチ SOI エピタキシャルウェーハ

  直径:4"

  オリエンテーション:<100>、<111>

  タイプ/添加物:Pのタイプ/ほう素、Nのタイプ/Phos、N Type/As、N Type/Sb

  接触
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  JDCD06-001-003 4インチのシリコンの薄片MEMS装置、集積回路、分離した装置のための熱心な基質

  直径:4"

  等級:主

  成長方法:CZ

  接触