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自由な地位U/SI GaNのエピタキシアル ウエファー50.8 mm 350 um2022-10-08 17:12:14 |
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電力装置 5x10mm2 無ドープ N型自由立体GANシングルクリスタル基板 抵抗力0.1 Ω·cmとBOW 10μm以内2025-04-27 11:43:51 |
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SP-Face 11-12 無ドーピング N型自由立体GAN単結晶基板 抵抗力0.05 Ω·cm マクロ欠陥密度0cm−22025-04-27 11:43:51 |
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5*10mm2 SP-Face 無ドーピング N型自由立体ガナ単結基質 20-21 / 20-2-1 10mm2 抵抗力 0.05 Ω·cm2025-04-27 11:43:51 |
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FeはGaNの基質の抵抗を> 10 ⁶ Ω添加した·Cm RF装置2024-10-29 11:49:57 |
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2インチU GaNの基質SI GaNの基質50.8mm2024-10-14 17:06:30 |
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50.8mmガリウム窒化物の半導体ウエハー2インチの自由な地位2022-10-08 17:22:16 |
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支えがない N GaN の基質 N の表面の粗さ 0.5um to1.5um2022-10-08 17:14:45 |
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Cの表面GaNの基質2022-10-09 17:03:25 |
Japanese
