|
商品の詳細:
|
| 製品名: | 2インチの支えがないU-GaN/SI-GaNの基質 | Gaの表面表面の粗さ: | < 0=""> |
|---|---|---|---|
| オリエンテーションの平たい箱: | （1-100の） ± 0.5˚の16 ± 1mm | 次元: | 50.8 ± 1mm |
| 厚さ: | 350 ± 25μm | 二次オリエンテーションの平たい箱: | （11-20の） ± 3˚の8 ± 1mm |
| ハイライト: | ガリウム窒化物の半導体ウエハー,50.8mmのgan基質,半導体ウエハー2インチ |
||
50.8 ± 2インチの支えがないU-GaN/SI-GaNの基質（1-100）の± 1つのmmの0.5oの16 ± 1つのmm
2inch C表面Un-doped nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗 < 0="">
概観
GaNの故障分野
より高い故障分野はガリウム窒化物が強力なプロダクトのような高圧回路のケイ素に優秀であることを意味する。かなりより小さい足跡を維持している間製造業者およびエンジニアはまた同じような電圧適用でGaNを使用できる。
| 2インチの支えがないU-GaN/SI-GaNの基質 | |||||||
|
優秀なレベル（S） |
生産のレベル（A） |
研究 レベル（b） |
ダミー レベル（c） |
注: （1）使用可能な区域:端およびマクロ欠陥の排除 （2） 3ポイント:miscutは位置の曲がる（2つ、4、5）は0.35の± 0.15oである |
|||
| S-1 | S-2 | A-1 | A-2 | ||||
| 次元 | 50.8 ± 1つのmm | ||||||
| 厚さ | 350 ± 25のμm | ||||||
| オリエンテーションの平たい箱 | （1-100の） ± 0.5oの16 ± 1つのmm | ||||||
| 二次オリエンテーションの平たい箱 | （11-20の） ± 3oの8 ± 1つのmm | ||||||
| 抵抗（300K） |
< 0=""> または> 1 x 106 Ω·Semi-insulatingのためのcm （Fe添加される;GaN FS C SIC50） |
||||||
| TTV | ≤ 15のμm | ||||||
| 弓 | ≤ 20のμmの≤ 40のμm | ||||||
| Gaの表面表面の粗さ |
< 0=""> または < 0=""> |
||||||
| Nの表面表面の粗さ |
0.5の~1.5 μm 選択:1~3 nm （良い地面）; < 0=""> |
||||||
| パッケージ | 単一のウエファーの容器のクリーンルームで包まれる | ||||||
| 使用可能な区域 | > 90% | >80% | >70% | ||||
| 転位密度 | <9>5つのcm-2 | <3x10>6つのcm-2 | <9>5つのcm-2 | <3x10>6つのcm-2 | <3x10>6つのcm-2 | ||
| オリエンテーション:M軸線の方の角度を離れたCの平面（0001） |
0.35の± 0.15o （3ポイント） |
0.35の± 0.15o （3ポイント） |
0.35の± 0.15o （3ポイント） |
||||
| マクロ欠陥密度（穴） | 0のcm-2 | < 0="">-2 | < 1="" cm="">-2 | ||||
| マクロ欠陥の最高のサイズ | < 700=""> | < 2000=""> | < 4000=""> | ||||
私達について
私達は電子工学、光学、opto電子工学および他の多くの分野で広く利用されたウエファー、基質およびカスタマイズされた光学ガラスparts.componentsにいろいろな材料を処理することを専門にする。私達はまた多くの国内を密接に使用して、海外大学、研究所および会社はR & Dのプロジェクトに、カスタマイズされた製品とサービスを提供する。それは私達のよい評判によって私達のすべての顧客との協同のよい関係の維持へ私達の視野である。
FAQ
Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。
私達は工場である。
Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。
通常それは商品が在庫にあれば3-5日である。
またはそれは量に従って商品が在庫になければ7-10日、それあるである。
Q:サンプルを提供するか。それまたは余分は自由にあるか。
はい、私達は自由電荷のためのサンプルを提供できたが、貨物の費用を支払わない。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。
支払の <>
支払>=5000USD、先立って80% T/T、郵送物の前のバランス。
コンタクトパーソン: Xiwen Bai (Ciel)
電話番号: +8613372109561
