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A 面 N 型自立型 GaN ガリウム単結晶基板 アンドープ2023-02-17 11:02:58 |
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5*10mm2 M表面Un-Doped Nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗< 0.05 Ω·cm力装置/レーザー2025-04-04 22:43:38 |
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GaN 基板 Ga 面の表面粗さ < 0.2 nm (研磨) または < 0.3 nm (研磨およびエピタキシーの表面処理)2025-04-04 22:42:49 |
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5*10mm2表面Un-doped nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗< 0.05 Ω·cm力装置/レーザー2025-04-04 22:43:36 |
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5*10mm2 SP表面（10-11） Un-Doped SIタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗> 10 ⁶ Ω·Cm RF装置2025-04-04 22:43:36 |
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350 ± 25μm 厚さ 塩基配合されていないN型自由立体GANシングルクリスタル基板 TTV ≤ 10μm 抵抗度は0.1 Ω·cm2025-04-27 11:43:51 |
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5*10mm2表面Un-Doped SIタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗> 10 ⁶ Ω·Cm RF装置ウエファー2025-04-04 22:43:31 |
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5*10mm2 SP-Face 10-11 無ドーピング N型自由立 GaN単結晶基板 0.1 Ω·cm 電源装置に対する耐性2025-04-27 11:43:51 |
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5*10mm2 SP表面（11-12） Un-Doped SIタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗> 10 ⁶ Ω·Cm RF装置2025-04-04 22:43:33 |
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2 インチ C 面 Fe ドープ SI タイプ自立型 GaN 単結晶基板 抵抗率 > 10⁶ Ω·cm RF デバイス2025-04-04 22:43:44 |
Japanese
