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支えがない N GaN の基質 N の表面の粗さ 0.5um to1.5um2022-10-08 17:14:45 |
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Cの表面GaNの基質2022-10-09 17:03:25 |
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FeはGaNの基質の抵抗を> 10 ⁶ Ω添加した·Cm RF装置2023-03-22 16:32:03 |
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シリコンの薄片のGaNの基質の前部表面の粗さGaN2022-10-08 17:19:48 |
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GaNガリウム窒化物のウエファーの厚さ325um - 375um支えがない2022-10-08 17:00:13 |
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10*10.5mm2 C表面はSIタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗を> 10 ⁶ Ω Fe添加した·Cm RF装置ウエファー2022-10-25 15:05:44 |
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5*10mm2表面Un-Doped SIタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗> 10 ⁶ Ω·Cm RF装置ウエファー2022-10-25 15:13:01 |
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5*10mm2 SP表面（20-21）/（20-2-1） Un-Doped Nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗< 0.1 Ω·cm2022-10-25 15:16:01 |
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10 x 10.5 mm2 C表面Un-Doped Nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質2022-10-25 15:04:40 |
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5*10mm2 M表面Un-Doped Nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗< 0.05 Ω·cm力装置/レーザー2022-10-25 15:18:59 |
