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free standing gan substrates オンライン製造

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購入 5*10mm2 M表面Un-Doped SIタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗> 10 ⁶ Ω·Cm RF装置ウエファー オンライン メーカー

5*10mm2 M表面Un-Doped SIタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗> 10 ⁶ Ω·Cm RF装置ウエファー
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2022-10-25 15:19:21
購入 5*10mm2表面Un-Doped Nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗<0.1 Ω·cm力装置/レーザーW オンライン メーカー

5*10mm2表面Un-Doped Nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗<0.1 Ω·cm力装置/レーザーW
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2022-10-25 15:15:40
購入 5*10mm2 SP表面（10-11） Un-Doped Nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗&lt; 0.05 Ω·cm オンライン メーカー

5*10mm2 SP表面（10-11） Un-Doped Nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗< 0.05 Ω·cm
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2022-10-25 15:18:39
購入 5*10mm2 SP 面 (11-12) アンドープ N 型自立型 GaN 単結晶基板 抵抗率 オンライン メーカー

5*10mm2 SP 面 (11-12) アンドープ N 型自立型 GaN 単結晶基板 抵抗率
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2023-02-17 11:06:00
購入 5*10mm2 SP表面（10-11） Un-Doped SIタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗&gt; 10 ⁶ Ω·Cm RF装置 オンライン メーカー

5*10mm2 SP表面（10-11） Un-Doped SIタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗> 10 ⁶ Ω·Cm RF装置
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2022-10-25 15:17:49
購入 5*10mm2 SP表面（11-12） Un-Doped SIタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗&gt; 10 ⁶ Ω·Cm RF装置 オンライン メーカー

5*10mm2 SP表面（11-12） Un-Doped SIタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗> 10 ⁶ Ω·Cm RF装置
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2022-10-25 15:13:23
購入 5*10mm2表面Un-doped nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗&lt; 0.05 Ω·cm力装置/レーザー オンライン メーカー

5*10mm2表面Un-doped nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗< 0.05 Ω·cm力装置/レーザー
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2022-10-25 15:17:24
購入 5*10mm2 SP表面（10-11） Un-Doped Nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗&lt;0.1 Ω·cm力装置 オンライン メーカー

5*10mm2 SP表面（10-11） Un-Doped Nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗<0.1 Ω·cm力装置
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2022-10-25 15:18:12
購入 5*10mm2 SP表面（11-12） Un-Doped Nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗&lt; 0.1 Ω·cm力装置 オンライン メーカー

5*10mm2 SP表面（11-12） Un-Doped Nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗< 0.1 Ω·cm力装置
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2023-02-17 11:08:54
購入 5*10mm2 SP表面（20-21）/（20-2-1） Un-Doped Nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗&lt; 0.05 Ω·cm オンライン メーカー

5*10mm2 SP表面（20-21）/（20-2-1） Un-Doped Nタイプの支えがないGaNの単結晶の基質の抵抗< 0.05 Ω·cm
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2023-02-17 11:10:47
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について

GaNのエピタキシアル ウエファー

2inch GaNのエピタキシアル ウエファーCの表面FeはSIのタイプ自由な地位を添加した

FeはGaNの基質の抵抗を> 10 ⁶ Ω添加した·Cm RF装置

2インチ自立型SI-GaN基板

Sicのエピタキシアル ウエファー

面取り SiC エピタキシャルウェーハ 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350.0um ± 25.0um

単結晶SiCのエピタキシアル ウエファーのC表面光学ポーランドのSi表面CMP

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