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led sapphire substrate r9 オンライン製造

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R Type 50mm Sapphire Wafer Thickness 420μm OF length (mm) 16個のLEDチップ
連絡先

2023-02-17 11:23:22

オプトエレクトロニクス研磨サファイア結晶ウェーハRタイプ
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2023-02-17 11:22:48

A 面方位サファイアウェーハ鏡面研磨 EPI 対応
連絡先

2023-02-17 10:18:27

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GaNのエピタキシアルウエファー

2inch GaNのエピタキシアルウエファーCの表面FeはSIのタイプ自由な地位を添加した

FeはGaNの基質の抵抗を> 10 ⁶ Ω添加した·Cm RF装置

2インチ自立型SI-GaN基板

Sicのエピタキシアルウエファー

面取り SiC エピタキシャルウェーハ 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350.0um ± 25.0um

単結晶SiCのエピタキシアルウエファーのC表面光学ポーランドのSi表面CMP