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R Type 50mm Sapphire Wafer Thickness 420μm OF length (mm) 16個のLEDチップ

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R Type 50mm Sapphire Wafer Thickness 420μm OF length (mm) 16個のLEDチップ

R Type 50mm Sapphire Wafer Thickness 420μm OF length (mm) 16個のLEDチップ
R Type 50mm Sapphire Wafer Thickness 420μm OF length (mm) 16個のLEDチップ

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商品の詳細:
モデル番号: JDCD08-001-001
お支払配送条件:
パッケージの詳細: クラス10000のクリーンルーム環境での真空パック、25枚入りカセットまたは枚葉容器。
支払条件: T/T

R Type 50mm Sapphire Wafer Thickness 420μm OF length (mm) 16個のLEDチップ

説明
製品名: サファイアの基質のウエファー 材料: 高い純度のAlの₂ Oの₃ (>99.995%)
ウエファーの端: Rタイプ 表面のオリエンテーション: 平面(11-20)
厚さ: 430 ±15μm 直径: 50.8 ±0.10
ハイライト:

Rタイプサファイアウェーハ、50mmサファイアクリスタルウェーハ、サファイアウェーハ420um

,

50mm sapphire crystal wafer

,

Sapphire Wafer 420um

50mmサファイア基板ウェーハ高純度Al23(>99.995%) 厚さ 430 ± 10 μm

JDCD08-001-001 直径 50mm サファイア基板ウェーハ、厚さ 430um、結晶方位 C/M0.2、OF 長 (mm) 16 LED チップ、基板材料

 

独自の機械的特性

素材のサファイアはモース硬度9と非常に硬く、モース硬度10の天然鉱物ダイヤモンドに次ぐ硬度を誇ります。いくつかの業界向け。サファイアと比較すると、ガラスの硬度は 5.5 に近い値です。

 

パラメーター

仕様
ユニット 目標 許容範囲
材料 高純度アルミ23(>99.995%)
直径 んん 50.8 ±0.10
厚さ μm 430 ±15
表面の向き Cプレーン(0001)
-M軸方向へのオフアングル 程度 0.20 ±0.10
-A軸方向へのオフアングル 程度 0.00 ±0.10
フラット方向 Aプレーン(11-20)
-フラットオフセット角度 程度 0.0 ±0.2
フラットレングス んん 16.0 ±1
R面 R9
表面粗さ(Ra) nm <0.3
裏面粗さ μm 0.8~1.2μm
表面品質 鏡面研磨、EPI対応
ウェーハエッジ Rタイプ
面取り振幅 μm 80-160
フラット エッジとラウンド エッジ間の夾角ラジアン んん R=9
TTV μm ≤5
LTV(5x5mm) μm ≤1.5
μm 0~-5
ワープ μm ≤10
レーザーマーク   顧客が要求するように

 

 

私たちに関しては

私たちは、さまざまな材料をウェーハ、基板、およびカスタマイズされた光学ガラス部品に加工することを専門としています。これらの部品は、エレクトロニクス、光学、オプトエレクトロニクス、および他の多くの分野で広く使用されています。また、国内外の多くの大学、研究機関、企業と緊密に連携し、研究開発プロジェクト向けにカスタマイズされた製品とサービスを提供しています。私たちの良い評判によって、すべてのお客様と協力関係を維持することが私たちのビジョンです。

 

 

よくある質問

Q: あなたは商社ですか、それともメーカーですか?
私たちは工場です。
Q:納期はどのくらいですか?
通常、在庫がある場合は3~5日です。
または、商品が在庫にない場合は、数量に応じて7〜10日です。
Q: サンプルを提供していますか?それは無料ですか、それとも余分ですか?
はい、無料でサンプルを提供できますが、運賃はかかりません。
Q: 支払条件は何ですか?
お支払い <=5000USD、100% 前払い。
Paymen >=5000USD、前もって 80% T/T、shippment の前のバランス。

 

連絡先の詳細
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

コンタクトパーソン: Xiwen Bai (Ciel)

電話番号: +8613372109561

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