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n type sic epitaxial wafer オンライン製造

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350um 4H SiC基板
連絡先

2022-10-09 16:57:57

シリコンの薄片のGaNの基質の前部表面の粗さGaN
連絡先

2022-10-08 17:19:48

2 インチ C 面 Fe ドープ SI タイプ自立型 GaN 単結晶基板抵抗率 > 10⁶ Ω·cm RF デバイス
連絡先

2024-07-31 15:01:27

SP Face 5 X 10mm2 窒化ガリウム基板 350um
連絡先

2022-10-08 16:41:01

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GaNのエピタキシアルウエファー

Sicのエピタキシアルウエファー

GaAsエピウェーハ

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GaNのエピタキシアルウエファー

2inch GaNのエピタキシアルウエファーCの表面FeはSIのタイプ自由な地位を添加した

FeはGaNの基質の抵抗を> 10 ⁶ Ω添加した·Cm RF装置

2インチ自立型SI-GaN基板

Sicのエピタキシアルウエファー

面取り SiC エピタキシャルウェーハ 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350.0um ± 25.0um

単結晶SiCのエピタキシアルウエファーのC表面光学ポーランドのSi表面CMP