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ポリタイプ なし 可 SiC エピタキシャルウェーハ P-MOS P-SBD D グレード2023-02-17 17:47:57 |
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4H SiCのエピタキシアル ウエファー0.015Ω•cm0.025Ω•Cm ≤4000/cmの² 150.0 mm +0mm/-0.2mm2023-02-17 15:19:25 |
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150.0mm +0mm/-0.2mm SiCのエピタキシアル ウエファー二次平たい箱無し3mm2023-02-17 15:10:26 |
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6inch SiCのエピタキシアル ウエファー2022-10-09 16:56:20 |
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4H SiCのエピタキシアル ウエファーP-MOSは47.5 mmの150.0 mm +0mm/-0.2mmを± 1.5 mm等級別にする2022-10-24 10:21:58 |
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SiC Nのタイプ基質2022-10-09 16:57:15 |
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350um 4H SiC基板2022-10-09 16:57:57 |
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シリコンの薄片のGaNの基質の前部表面の粗さGaN2022-10-08 17:19:48 |
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6インチ 4H SiC基板 Nタイプ P SBDグレード 350μm2022-10-24 10:23:04 |
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2 インチ C 面 Fe ドープ SI タイプ自立型 GaN 単結晶基板 抵抗率 > 10⁶ Ω·cm RF デバイス2023-03-23 16:58:53 |
