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sic epitaxial wafer c face オンライン製造

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購入 半基質150mmを絶縁するPのレベルSIのタイプ6inch 4H SiC オンライン メーカー

半基質150mmを絶縁するPのレベルSIのタイプ6inch 4H SiC
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2022-10-24 10:21:46
購入 4インチ 4H-SiC基板 Pレベル N型 350.0±25.0μM MPD≦0.5/Cm2 抵抗率 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm オンライン メーカー

4インチ 4H-SiC基板 Pレベル N型 350.0±25.0μM MPD≦0.5/Cm2 抵抗率 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm
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2022-10-24 10:38:02
購入 4inch 4H SiCの基質のP-level SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity≥1E5Ω·力およびマイクロウェーブのためのcm オンライン メーカー

4inch 4H SiCの基質のP-level SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity≥1E5Ω·力およびマイクロウェーブのためのcm
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2022-10-24 10:38:13
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について

GaNのエピタキシアル ウエファー

2inch GaNのエピタキシアル ウエファーCの表面FeはSIのタイプ自由な地位を添加した

FeはGaNの基質の抵抗を> 10 ⁶ Ω添加した·Cm RF装置

2インチ自立型SI-GaN基板

Sicのエピタキシアル ウエファー

面取り SiC エピタキシャルウェーハ 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350.0um ± 25.0um

単結晶SiCのエピタキシアル ウエファーのC表面光学ポーランドのSi表面CMP

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