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side polished ga2o3 wafer オンライン製造

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JDCD04-001-002 10x10mm2は（- 201）支えがないGa2O3単結晶の基質プロダクトを等級別にする単一のポーランド語をSn添加した
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2025-04-27 11:43:51

JDCD04-001-007 10x10mm2(010)Sn ドープ自立型 Ga2O3 単結晶基板製品グレードシングル研磨
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2025-04-27 11:43:51

半導体の単結晶ガリウム酸化物の基質UIDの添加
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2022-10-09 10:30:43

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GaNのエピタキシアルウエファー

2inch GaNのエピタキシアルウエファーCの表面FeはSIのタイプ自由な地位を添加した

FeはGaNの基質の抵抗を> 10 ⁶ Ω添加した·Cm RF装置

2インチ自立型SI-GaN基板

Sicのエピタキシアルウエファー

面取り SiC エピタキシャルウェーハ 150.0 mm +0mm/-0.2mm 350.0um± 25.0 um

4H Crystal Form SiC Epitaxial Wafer Wafer Edge Beveling 350.0um ± 25.0um

単結晶SiCのエピタキシアルウエファーのC表面光学ポーランドのSi表面CMP